[发明专利]一种高温完全抗氧化镍基单晶合金及其制备方法有效
| 申请号： | 200910248674.2 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102108555A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 孙晓峰;于金江;金涛;赵乃仁;王致辉;侯桂臣;管恒荣;胡壮麒 | 申请（专利权）人： | 中国科学院金属研究所 |
| 主分类号： | C30B29/52 | 分类号： | C30B29/52;C30B11/00 |
| 代理公司： | 沈阳科苑专利商标代理有限公司 21002 | 代理人： | 张志伟 |
| 地址： | 110016 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 高温 完全 氧化 镍基单晶 合金 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种高温完全抗氧化镍基单晶合金，其特征在于：按重量百分比计，该单晶合金包含合金成分：
C 0.01～0.08，Cr 8.0～10.0，Al 5.0～6.0，Co 2.5～8.5，Ti 1.0～3.0，Nb 0.2～1.8，W8.0～11，Ta 2.0～3.5，Ni余。
2.按照权利要求1所述的高温完全抗氧化镍基单晶合金，其特征在于：该单晶合金中，7.0wt.％≤Al+Ti≤8.0wt.％。
3.按照权利要求1所述的高温完全抗氧化镍基单晶合金，其特征在于：该单晶合金中，Al/Ti之比大于2.5∶1。
4.按照权利要求1所述的高温完全抗氧化镍基单晶合金的制备方法，其特征在于：在定向凝固炉上进行制备单晶合金，在单晶生长炉温度梯度范围40K/cm～80K/cm，浇注温度1480～1580℃，模壳温度与浇注温度保持一致，单晶生长速率为3～8mm/min范围内，制备单晶叶片或试棒。
5.按照权利要求4所述的高温完全抗氧化镍基单晶合金的制备方法，其特征在于，该单晶合金的热处理制度如下：
(1)固溶均匀化处理，在1295～1305℃保温2～6小时，随后进行空冷至室温；
(2)高温时效处理，在1050～1150℃保温1～6小时，随后进行空冷至室温；
(3)低温时效处理，在850～890℃保温18～28小时，随后进行空冷至室温。
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