[发明专利]像素结构

权利要求书

1.一种像素结构，设置于一基板上，以于所述基板上定义出复数个像素区，且每一所述像素区具有一第一子像素区以及一第二子像素区，所述第二子像素区具有一第一共用电容区，所述像素结构包括：

一第一扫描线、一第二扫描线、一第一数据线以及一第二数据线；

一共用配线，越过第一子像素区与所述第二子像素区，且所述共用配线具有一第一共用电极部，设置于所述第一共用电容区；

一第一像素单元，包括一第一主动元件、一第一电容电极以及一第一像素电极，其中所述第一主动元件电性连接于所述第一扫描线以及所述第一数据线，所述第一像素电极位于所述第一子像素区内，电性连接所述第一主动元件，所述第一电容电极配置于所述共用配线的下方，电性连接所述第一主动元件，且所述第一电容电极包括：

一第一电容电极部，所述第一像素电极经由所述第一电容电极部而与所述第一主动元件连接；以及

一第一延伸电极部，自所述第一电容电极部延伸至所述第一共用电容区，使得所述第一延伸电极部与所述第一共用电极部重迭构成一第一延伸电容；

一第二像素单元，包括一第二主动元件以及一第二像素电极，其中所述第二主动元件电性连接于所述第二扫描线以及所述第二数据线，所述第二像素电极位于所述第二子像素区内，并与所述第二主动元件电性连接，所述第二像素电极与所述第一共用电极部重迭构成一第二储存电容，且所述第二储存电容与所述第一延伸电容堆迭地设置于所述第二子像素区的所述第一共用电容区中。

2.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一电容电极部设置于所述第一子像素区与所述第二子像素区之间，且所述第一电容电极部与所述共用配线之间构成所述第一像素单元的一第三储存电容。

3.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，在所述第一共用电容区中，所述第一共用电极部位于所述第二像素电极与所述第一延伸电极部之间。

4.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构更包括一第一辅助电极，电性连接所述共同配线，位于所述第一共用电容区中，且位于所述第一电容电极下方，所述第一辅助电极与所述第一延伸电极部之间构成一第一辅助电容。

5.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构更包括一第二共用电容区，位于所述第一子像素区中，所述共用配线具有一延伸至所述第二共用电容区的第二共用电极部，其中所述第二像素单元具有一第二电容电极，且所述第二电容电极与所述第一电容电极为同一膜层，其中所述第二电容电极包括：

一第二电容电极部，所述第二像素电极经由所述第二电容电极部而与所述第二主动元件连接；以及

一第二延伸电极部，自所述第二电容电极部延伸至所述第二共用电容区，使得所述第二延伸电极部与所述第二共用电极部之间构成一第四延伸电容。

6.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，在所述第二共用电容区中，所述第二共用电极部与所述第一像素电极之间构成所述第一像素单元的一第五储存电容，且所述第一像素单元的所述第五储存电容堆迭于所述第二像素单元的所述第四延伸电容上。

7.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述第二电容电极设置于所述第一子像素区与所述第二子像素区之间，且所述第二电容电极部与所述共用配线之间构成一第六储存电容。

8.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，在所述第二共用电容区中，所述第二共用电极部位于所述第一像素电极与所述第二延伸电极部之间。

9.如权利要求5所述的像素结构，其特征在于，所述像素结构更包括一第二辅助电极，电性连接所述共同配线，位于所述第二共用电容区中，且位于所述第二电容电极下方，所述第二辅助电极与所述第二延伸电极部之间构成一第二辅助电容。

10.如权利要求1所述的像素结构，其特征在于，所述第一主动元件与所述第二主动元件分设于所述像素区的对角线处。