[发明专利]半导体存储器件及其读出放大器电路无效

专利信息
申请号: 200910251217.9 申请日: 2008-01-09
公开(公告)号: CN101740114A 公开(公告)日: 2010-06-16
发明(设计)人: 秋山悟;关口知纪;竹村理一郎;中谷浩晃;宫武伸一;渡边由布子 申请(专利权)人: 株式会社日立制作所;尔必达存储器股份有限公司
主分类号: G11C11/4063 分类号: G11C11/4063;G11C11/4091
代理公司: 北京市金杜律师事务所 11256 代理人: 王茂华
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 存储 器件 及其 读出 放大器 电路
【权利要求书】:

1.一种半导体存储器件,其特征在于,包括:

数据线对;

第一电路,连接在上述数据线对之间,基于上述数据线对各自的 电位使其中的一条数据线沿着第一电位电平方向变化;

第二电路,连接在上述数据线对之间,基于上述数据线对各自的 电位使其中的另一条数据线沿着与上述第一电位电平相反的第二电 位电平方向变化;以及

第三电路,连接在上述数据线对之间,先于上述第一电路而被激 活,以使得基于上述数据线对各自的电位而使上述其中的一条数据 线沿着上述第一电位电平方向变化,

上述第三电路比上述第一电路和上述第二电路先驱动,

构成上述第三电路的预定导电型的晶体管具有比构成上述第一 电路的上述预定导电型的晶体管低的阈值电压。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器件,其特征在于:

上述第三电路在上述第一电路被激活后变为非激活状态。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器件,其特征在于:

还包括

多个存储器单元,连接在上述一条数据线或者上述另一条数据线 上;

多条字线,用于选择上述多个存储器单元;以及

行系统地址的解码器,用于驱动上述多条字线,

构成上述第三电路的预定导电型的晶体管具有比构成上述解码 器的晶体管的阈值低的阈值。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器件,其特征在于:

上述第二电路连接在提供过驱动电压的电源线上,以使得在上述 第二电路被激活时将上述数据线对中的上述另一条数据线的电位取 为绝对值比表示上述数据线对中的上述一条数据线的电平的电压大 的过驱动电压,并且该第二电路与在上述过驱动电压之后提供表示 上述数据线对的一条数据线的电平的电压的电源线连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社日立制作所;尔必达存储器股份有限公司,未经株式会社日立制作所;尔必达存储器股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910251217.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top