[发明专利]半导体存储器件及其读出放大器电路无效
申请号: | 200910251217.9 | 申请日: | 2008-01-09 |
公开(公告)号: | CN101740114A | 公开(公告)日: | 2010-06-16 |
发明(设计)人: | 秋山悟;关口知纪;竹村理一郎;中谷浩晃;宫武伸一;渡边由布子 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立制作所;尔必达存储器股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/4063 | 分类号: | G11C11/4063;G11C11/4091 |
代理公司: | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人: | 王茂华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 器件 及其 读出 放大器 电路 | ||
1.一种半导体存储器件,其特征在于,包括:
数据线对;
第一电路,连接在上述数据线对之间,基于上述数据线对各自的 电位使其中的一条数据线沿着第一电位电平方向变化;
第二电路,连接在上述数据线对之间,基于上述数据线对各自的 电位使其中的另一条数据线沿着与上述第一电位电平相反的第二电 位电平方向变化;以及
第三电路,连接在上述数据线对之间,先于上述第一电路而被激 活,以使得基于上述数据线对各自的电位而使上述其中的一条数据 线沿着上述第一电位电平方向变化,
上述第三电路比上述第一电路和上述第二电路先驱动,
构成上述第三电路的预定导电型的晶体管具有比构成上述第一 电路的上述预定导电型的晶体管低的阈值电压。
2.根据权利要求1所述的半导体存储器件,其特征在于:
上述第三电路在上述第一电路被激活后变为非激活状态。
3.根据权利要求1所述的半导体存储器件,其特征在于:
还包括
多个存储器单元,连接在上述一条数据线或者上述另一条数据线 上;
多条字线,用于选择上述多个存储器单元;以及
行系统地址的解码器,用于驱动上述多条字线,
构成上述第三电路的预定导电型的晶体管具有比构成上述解码 器的晶体管的阈值低的阈值。
4.根据权利要求1所述的半导体存储器件,其特征在于:
上述第二电路连接在提供过驱动电压的电源线上,以使得在上述 第二电路被激活时将上述数据线对中的上述另一条数据线的电位取 为绝对值比表示上述数据线对中的上述一条数据线的电平的电压大 的过驱动电压,并且该第二电路与在上述过驱动电压之后提供表示 上述数据线对的一条数据线的电平的电压的电源线连接。
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