[发明专利]厚膜功率模块成膜基板的制造方法无效
| 申请号： | 200910251522.8 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN102110615A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 尤广为;杨宝平 | 申请（专利权）人： | 华东光电集成器件研究所 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 杨晋弘 |
| 地址： | 233042*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 模块 成膜基板 制造 方法 | ||
【权利要求书】：
1.厚膜功率模块成膜基板的制造方法，其特征在于包括以下步骤：
a、使用杜邦公司7740型加厚型银浆料；
b、采用丝网进行2-6次重复印刷。
2.根据权利要求1所述的厚膜功率模块成膜基板的制造方法，其特征在于，丝网目数采用250目或300目，乳剂膜厚度选用40μm、50μm或80μm，使厚膜功率模块成膜基板的导带间距达到0.25mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
