[发明专利]封闭型沟槽式功率金氧半场效晶体管结构及其制作方法

权利要求书

1.一种封闭型沟槽式金氧半场效晶体管结构，其特征在于，包括：

一第一导电型的漏极区；

一第二导电型的本体，位于该漏极区上；

一沟槽式栅极，位于该本体内，该沟槽式栅极具有至少二长条部分与一交错部分，其中，该长条部分的底部位于该漏极区内，该交错部分的底部位于该本体内；以及

多个具有该第一导电型的源极区，位于该本体内，并且至少邻接于该沟槽式栅极的该长条部分。

2.如权利要求1所述的封闭型沟槽式金氧半场效晶体管结构，其特征在于，该本体的下表面具有一平面部分与至少一向下突出部分，该交错部分的底部位于该突出部分内，并且，该平面部分的深度小于该沟槽式栅极的深度。

3.如权利要求1所述的封闭型沟槽式金氧半场效晶体管结构，其特征在于，该沟槽式栅极的该长条部分与该交错部分的深度相同。

4.如权利要求1所述的封闭型沟槽式金氧半场效晶体管结构，其特征在于，该本体具有一第一掺杂区与一第二掺杂区，该第二掺杂区位于该第一掺杂区的下方，并且与该第一掺杂区互相分离，该沟槽式栅极位于该第一掺杂区内，该交错部分的底部位于该第二掺杂区内。

5.如权利要求1所述的封闭型沟槽式金氧半场效晶体管结构，其特征在于，该沟槽式栅极的该交错部分的上表面呈现一多边形，该多边形的边数大于或等于四。

6.如权利要求1所述的封闭型沟槽式金氧半场效晶体管结构，其特征在于，该交错部分的宽度大于该长条部分的宽度。

7.一种封闭型沟槽式金氧半场效晶体管结构的制作方法，其特征在于，包括：

提供一第一导电型的漏极区；

形成一第二导电型的第一掺杂区于该漏极区上；

形成一沟槽于该第一掺杂区内，该沟槽的底部位于该漏极区，该沟槽具有至少二长条区与一交错区；以及

形成一栅极介电层于该沟槽的内侧表面；

沉积一第一多晶硅层于该沟槽内，该第一多晶硅层大致填满该长条区，但在该交错区的中央处产生一凹陷；

蚀刻该第一多晶硅层，于该交错区形成一窗口以曝露该沟槽的底部；

通过蚀刻后的该第一多晶硅层，形成一第二导电型的第二掺杂区邻接于该交错区；以及

形成一第二多晶硅层于该窗口内。

8.如权利要求7所述的封闭型沟槽式金氧半场效晶体管结构的制作方法，其特征在于，该交错区呈现一多边形，该多边形的边长大致等于该长条区的宽度，该多边形的边数大于或等于四。

9.如权利要求7所述的封闭型沟槽式金氧半场效晶体管结构的制作方法，其特征在于，该交错区的宽度大于该长条区的宽度。

10.如权利要求7所述的封闭型沟槽式金氧半场效晶体管结构的制作方法，其特征在于，该第二掺杂区延伸连接该第一掺杂区，以构成一本体。

11.如权利要求7所述的封闭型沟槽式金氧半场效晶体管结构的制作方法，其特征在于，该第二掺杂区与该第一掺杂区互相分离。

12.如权利要求7所述的封闭型沟槽式金氧半场效晶体管结构的制作方法，其特征在于，该第一掺杂区的深度小于该沟槽的深度。