[发明专利]交流驱动多波长发光组件无效
申请号: | 200910252070.5 | 申请日: | 2009-12-08 |
公开(公告)号: | CN102086978A | 公开(公告)日: | 2011-06-08 |
发明(设计)人: | 沈佳辉;洪梓健;马志邦 | 申请(专利权)人: | 展晶科技(深圳)有限公司;荣创能源科技股份有限公司 |
主分类号: | F21S2/00 | 分类号: | F21S2/00;F21V19/00;F21V23/00;H01L33/00;F21Y101/02 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 518109 广东省深圳市宝*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 交流 驱动 波长 发光 组件 | ||
1.一种交流驱动多波长发光组件,其特征在于,包括:
一基材;以及
复数个多波长发光二极管,以串联与并联方式相互电性连接而设置于所述基材上;其中,所述多波长发光二极管分别包括复数层活性层。
2.如权利要求1所述的交流驱动多波长发光组件,其特征在于,各所述多波长发光二极管均分别包括一第一型半导体层与一第二型半导体层,且所述活性层设置于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层之间。
3.如权利要求2所述的交流驱动多波长发光组件,其特征在于,所述第一型半导体层与所述第二型半导体层包括三五族氮化物半导体材料。
4.如权利要求2所述的交流驱动多波长发光组件,其特征在于,所述多波长发光二极管更包括一第一焊垫与一第二焊垫,分别设置于所述第一型半导体层与所述第二型半导体层上,其中至少一多波长发光二极管的所述第一焊垫与相邻的多波长发光二极管的所述第二焊垫电性连接以串联所述发光二极管。
5.如权利要求1所述的交流驱动多波长发光组件,其特征在于,所述多波长发光二极管的所述活性层分别产生一第一波长光与一第二波长光,且所述第一波长光不同于所述第二波长光。
6.如权利要求5所述的交流驱动多波长发光组件,其特征在于,所述第一波长光的波长范围在550~650纳米之间,而所述第二波长光的波长范围在450~510纳米之间。
7.如权利要求5所述的交流驱动多波长发光组件,其特征在于,所述第一波长光的波长范围在500~600纳米之间,而所述第二波长光的波长范围在340~430纳米之间。
8.如权利要求1所述的交流驱动多波长发光组件,其特征在于,所述多波长发光二极管的所述等活性层分别产生一第三波长光、一第四波长光与一第五波长光,且所述等波长光不同于彼此。
9.如权利要求8所述的交流驱动多波长发光组件,其特征在于,所述第三波长光的波长范围在560~600纳米之间、所述第四波长光的波长范围在520~560纳米之间、所述第五波长光的波长范围在200~430纳米之间。
10.如权利要求1所述的交流驱动多波长发光组件,其特征在于,所述多波长发光二极管串联与并联形成至少一电桥,其中所述电桥以串联与并联方式相互电性连接。
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