[发明专利]引脚外露的半导体封装的工艺方法有效
申请号: | 200910252292.7 | 申请日: | 2009-11-30 |
公开(公告)号: | CN102082099A | 公开(公告)日: | 2011-06-01 |
发明(设计)人: | 薛彦迅;鲁军 | 申请(专利权)人: | 万国半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/60 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 姜玉芳;徐雯琼 |
地址: | 美国加利福尼*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 引脚 外露 半导体 封装 工艺 方法 | ||
1.一种引脚外露的半导体封装的工艺方法,其特征在于,具体包括以下步骤:
步骤1、在引线框架上进行芯片粘贴和连接键合;
所述的引线框架包含若干排列分布的引线框架单元、以及用于连接该引线框架单元的金属筋;所述的每个引线框架单元包含载片台、以及位于该载片台两侧的若干引脚;该引脚包含封装后位于塑封体内的内置部分以及暴露在塑封体外的外露部分;
在每个引线框架单元上,分别将芯片粘贴至载片台,并用金属连接体连接键合所述的芯片和引脚;
步骤2、塑封:对整个引线框架进行塑封,利用封装模具将所有引线框架单元,包括芯片、载片台和引脚均封装在塑封体内;
步骤3、第一次封装切割:利用切割具将位于金属筋以及各个引脚的外露部分上方的塑封材料通过切割除去,形成以金属筋分隔的若干塑封条;
步骤4、第二次封装切割:利用切割具对整个引线框架进行横向和纵向的切割后,分离各个引线框架单元,形成若干独立的引脚外露的半导体封装器件。
2.如权利要求1所述的引脚外露的半导体封装的工艺方法,其特征在于,在所述步骤3之后进一步包括步骤3.5:去除相邻引脚的外露部分之间的塑封材料。
3.如权利要求2所述的引脚外露的半导体封装的工艺方法,其特征在于,所述步骤3.5中,通过去溢胶的方式去除相邻引脚的外露部分之间的塑封材料。
4.如权利要求2所述的引脚外露的半导体封装的工艺方法,其特征在于,所述步骤3.5中,利用激光去除相邻引脚的外露部分之间的塑封材料。
5.如权利要求1所述的引脚外露的半导体封装的工艺方法,其特征在于,所述的相邻引线框架单元之间通过将各个引脚的外露部分连接至金属筋而实现连接且相邻引脚的外露部分之间通过金属无间隙连接。
6.如权利要求5所述的引脚外露的半导体封装的工艺方法,其特征在于,在所述步骤2之后进一步包括步骤2.5:由塑封体底部去除相邻引脚的外露部分之间的金属。
7.如权利要求6所述的引脚外露的半导体封装的工艺方法,其特征在于,所述步骤2.5中,通过对封装后的塑封体进行底部蚀刻,以去除相邻引脚的预定外露部分之间的金属。
8.如权利要求6所述的引脚外露的半导体封装的工艺方法,其特征在于,所述步骤2.5中,利用激光去除塑封体封装底部的相邻引脚的预定外露部分之间的金属。
9.如权利要求1或2或6所述的引脚外露的半导体封装的工艺方法,其特征在于,所述的相邻引线框架单元之间通过将各个引脚的外露部分连接至金属筋而实现连接。
10.如权利要求1或2或6所述的引脚外露的半导体封装的工艺方法,其特征在于,所述的相邻引线框架单元的载片台之间通过连接至金属筋而实现连接。
11.如权利要求1或2或6所述的引脚外露的半导体封装的工艺方法,其特征在于,所述的步骤3中,切割过程为:从整个塑封体封装的顶部表面处沿金属筋的设置方向垂直向下切割塑封材料,且切割至引线框架的引脚外露部分的上表面为止。
12.如权利要求11所述的引脚外露的半导体封装的工艺方法,其特征在于,完成步骤3所述的切割步骤后,露出整条金属筋的表面,以及露出每个引线框架单元中与该金属筋连接的各个引脚外露部分的表面。
13.如权利要求1或2或6所述的引脚外露的半导体封装的工艺方法,其特征在于,所述的步骤4中,还包含以下步骤:
步骤4.1、切筋:切除相邻塑封条之间的金属筋,将各个引线框架单元的引脚之间的连接分割独立,并保留各个引脚的外露部分;
步骤4.2、切割:在塑封条的各个引线框架单元间进行切割,分离后形成若干独立的引脚外露的半导体器件。
14.如权利要求1或2或6所述的引脚外露的半导体封装的工艺方法,其特征在于,所述的步骤4中,还包含以下步骤:
步骤4.1、切割:在塑封条的各个引线框架单元间进行切割;
步骤4.2、切筋:再分别切除相邻引线框架单元之间的金属筋,将各个引线框架单元的引脚之间的连接分割独立,并保留各个引脚的外露部分,形成若干独立的引脚外露的半导体器件。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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