[发明专利]结合红外线感测的环境光源传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种结合红外线感测的环境光源传感器，包括：

基底；

环境光感测结构，位于该基底上方，用以感测并过滤可见光；

红外线感测结构，位于该环境光感测结构下方的该基底中，用以感测红外线；以及

介电层，位于该环境光感测结构与该红外线感测结构之间。

2.如权利要求1所述的结合红外线感测的环境光源传感器，其中该环境光感测层结构包括：

下电极，位于该介电层上；

氢化非晶硅层，位于该下电极上；以及

透明上电极，覆盖于该氢化非晶硅层上。

3.如权利要求2所述的结合红外线感测的环境光源传感器，其中该氢化非晶硅层为堆叠结构，包括：

第一导电型的氢化非晶硅层，位于该下电极上；

本征氢化非晶硅层，位于该第一导电型的氢化非晶硅层上；以及

第二导电型的氢化非晶硅层，位于该本征氢化非晶硅层上。

4.如权利要求3所述的结合红外线感测的环境光源传感器，其中该第一导电型为N型；该第二导电型为P型。

5.如权利要求2所述的结合红外线感测的环境光源传感器，其中该透明电极的材料包括透明导电氧化物，该下电极的材料包括金属。

6.如权利要求2所述的结合红外线感测的环境光源传感器，其中该环境光感测层结构位于金属内连线的最顶层金属层之上，且该下电极与该金属内连线电性连接。

7.如权利要求2所述的结合红外线感测的环境光源传感器，还包括保护环，位于该下电极周围及其下方的该介电层中。

8.如权利要求1所述的结合红外线感测的环境光源传感器，还包括光遮蔽层，覆盖于该环境光感测层结构的侧壁及其上表面的周围，且该光遮蔽层与焊垫电性连接。

9.如权利要求8所述的结合红外线感测的环境光源传感器，其中该环境光感测层结构的高度高于该焊垫的高度。

10.如权利要求1所述的结合红外线感测的环境光源传感器，其中该红外线感测结构包括位于该基底中的阱区，该阱区与该基底接触且其导电型态与该基底的导电型态不同，该阱区与该基底构成结二极管。

11.如权利要求10所述的结合红外线感测的环境光源传感器，其中该环境光感测层结构完全覆盖该阱区。

12.如权利要求1所述的结合红外线感测的环境光源传感器，还包括保护层，覆盖该环境光感测层结构。

13.一种结合红外线感测的环境光源传感器的制造方法，包括：

在基底中形成红外线感测结构，用以感测红外线；

在该基底上形成介电层；以及

在该介电层上形成环境光感测结构，覆盖该红外线感测结构。

14.如权利要求13所述的结合红外线感测的环境光源传感器的制造方法，其中该环境光感测层结构形成方法包括：

在该介电上形成下电极；

在该下电极上形成氢化非晶硅层；以及

在该氢化非晶硅层上形成透明上电极。

15.如权利要求14所述的结合红外线感测的环境光源传感器的制造方法，其中该氢化非晶硅层为堆叠结构，该堆叠结构的形成方法包括：

在该下电极上形成第一导电型的氢化非晶硅层；

在该第一导电型的氢化非晶硅层上形成本征氢化非晶硅层；以及

在该本征氢化非晶硅层上形成第二导电型的氢化非晶硅层。

16.如权利要求15所述的结合红外线感测的环境光源传感器的制造方法，其中该第一导电型为N型；该第二导电型为P型。

17.如权利要求14所述的结合红外线感测的环境光源传感器的制造方法，其中该透明电极的材料包括透明导电氧化物，该下电极的材料包括金属。

18.如权利要求14所述的结合红外线感测的环境光源传感器的制造方法，还包括在该介电层中形成金属内连线，连接该下电极。

19.如权利要求13所述的结合红外线感测的环境光源传感器的制造方法，还包括在该环境光感测层结构的侧壁及其上表面的周围形成光遮蔽层，该光遮蔽层与焊垫连接。