[发明专利]半导体晶圆的保护带剥离方法及保护带剥离装置

说明书

技术领域

本发明涉及通过在粘贴于半导体晶圆表面上的保护带上粘 贴宽度比半导体晶圆的直径小的剥离带而进行剥离，将保护带 与剥离带一体地从晶圆表面剥离的半导体晶圆的保护带剥离方 法以及保护带剥离装置。

背景技术

作为由半导体晶圆(以下适当地称作“晶圆”)制造芯片零 件的程序，公知有以下内容。

在晶圆表面进行形成电路图案的处理之后，在晶圆表面粘 贴保护带。之后，实施背面磨削加工(后研磨处理)而使晶圆 薄型化。被薄型加工后的半导体晶圆经由切割带粘贴保持于环 框。在该状态下剥离了晶圆表面的保护带之后，将其输送到切 割工序(参照日本特开2002-124494号公报)。

在从因薄型化而引起强度降低的晶圆上剥离保护带时，由 粘贴应力、剥离应力导致晶圆破损的风险增加。特别是在后研 磨处理加工等中，在晶圆外周产生了缺口、裂纹等缺陷的状态 下，有可能由粘贴应力、剥离应力导致缺口、裂纹扩大而使晶 圆较大地破损。当因缺口等扩大而导致晶圆破损，无法剥离保 护带时，无法将该晶圆输送到切割工序，而只能废弃。

因而，在多个芯片零件中，无论是否包括可用作合格品的 零件，都会全部废弃，因此，产生成品率降低这样的问题。

发明内容

本发明的目的在于即使在晶圆外周产生缺陷，也能确实地 剥离剥离带，而不会使缺口、裂纹扩大得较大。

为了达到这样的目的，本发明采用如下的构造。

一种半导体晶圆的保护带剥离方法，该剥离方法通过在粘 贴于半导体晶圆的表面的保护带上粘贴宽度比该半导体晶圆的 直径窄的剥离带而进行剥离，将保护带与剥离带一体地从晶圆 表面剥离，其中，上述方法包括以下过程：检测在半导体晶圆 的外周部产生的缺陷并存储其位置；由存储的位置信息计算相 邻的缺陷彼此之间的间隔，比较该计算结果和上述剥离带的宽 度，求出大于剥离带宽度的间隔部分；从求得的上述间隔部分 开始粘贴并剥离剥离带。

采用本发明的半导体晶圆的保护带剥离方法，能够从不存 在缺口、裂纹的部分开始粘贴剥离带。即，能够在避免因作用 于晶圆上的带剥离应力、带引导构件的按压力导致缺口、裂纹 扩大的同时，将保护带与剥离带一体地从晶圆表面上剥离。

另外，在该方法中，优选从计算出的间隔部分中的最大的 间隔部位开始粘贴剥离带。

例如，缺陷的检测是通过如下方式进行的：利用传感器获 取晶圆外周区域的信息或半导体晶圆整体的信息，该晶圆外周 区域设置有在半导体晶圆上形成的对准标记；将被推断为缺陷 的部分的位置变换为坐标，根据与仅具有对准标记的合格品的 基准坐标信息的比对，求出被去除了对准标记的部分。

特别是，在求得多个比剥离带宽度大的间隔的情况下，求 出各间隔中的最大间隔，将该间隔定为剥离开始位置。

该最大间隔如下地求出。

将位于上述半导体晶圆外周部的各缺陷的位置变换为坐 标，求出连结相邻的缺陷的坐标间的直线距离；比较该直线距 离和剥离带的宽度，抽取直线距离大于剥离带的宽度的部分， 求出该各部分的两缺陷的坐标间的中点坐标；求出连结该中点 坐标和半导体晶圆的中心坐标的中心线；针对每个缺陷，求出 从其全坐标到中心线的垂直直线距离；求出所有夹着中心线相 对的两个缺陷坐标的距离均大于剥离带宽度的部分，将该部分 定为剥离开始位置。

采用上述方法，避免半导体晶圆的缺口、裂纹扩大的几率 进一步升高。

另外，即使在晶圆外周部产生缺口、裂纹等缺陷，只要能 剥离保护带，就也能够将未产生缺陷的电路图案部位的芯片零 件作为合格品而分离。

另外，为了达到这样的目的，本发明采用如下的构造。