[发明专利]晶体管型保护器件和半导体集成电路

权利要求书

1.一种晶体管型保护器件，包括：

半导体衬底；

第一导电类型的阱，形成于所述半导体衬底中；

第二导电类型的源极区域，形成于所述阱中；

栅电极，在所述源极区域的一侧经过栅极绝缘膜形成于所述阱中；

第二导电类型的多个漏极区域，被形成为彼此分开，并且分别与所述 栅电极正下方的阱部分分开预定距离；以及

电阻连接部分，以预定电阻连接在所述多个漏极区域之间，

其中，所述电阻连接部分是第二导电类型的半导体区域，其具有的冶 金学的结形式和杂质浓度轮廓被确定为使得：能够存在当所述多个漏极区 域之一中发生结击穿时在施加漏极偏压的情况下未耗尽的区域。

2.根据权利要求1所述的晶体管型保护器件，其中，所述多个漏极区 域的冶金学的结深度大于作为所述电阻连接部分的所述第二导电类型的半 导体区域的冶金学的结深度。

3.根据权利要求1所述的晶体管型保护器件，其中，所述电阻连接部 分包括至少一个薄膜电阻，所述薄膜电阻通过触点部分连接到所述多个漏 极区域中的每一个。

4.根据权利要求1所述的晶体管型保护器件，其中，所述源极区域中 形成有阱触点区域，所述阱触点区域包括比所述阱的密度更高的第一导电 类型半导体，并在与所述栅电极相反一侧与所述阱接触。

5.一种晶体管型保护器件，包括：

半导体衬底；

第一导电类型的基极区域，形成于所述半导体衬底中；

第二导电类型的发射极区域，形成于所述基极区域内；

第二导电类型的多个集电极区域，被形成为彼此分开，并且分别与所 述发射极区域分开预定距离；以及

电阻连接部分，以预定电阻连接在所述多个集电极区域之间，

其中，所述电阻连接部分是第二导电类型的半导体区域，其具有的冶 金学的结形式和杂质浓度轮廓被确定为使得：能够存在当所述多个集电极 区域之一中发生结击穿时在施加集电极偏压的情况下未耗尽的区域。

6.根据权利要求5所述的晶体管型保护器件，其中，所述电阻连接部 分包括至少一个薄膜电阻，所述薄膜电阻经过触点部分连接到所述多个集 电极区域中的每一个。

7.一种半导体集成电路，包括：

电路，连接到第一布线和第二布线；和

晶体管型保护器件，所述晶体管型保护器件在所述第一布线与所述第 二布线之间的电位差等于或大于固定值时导通并保护所述电路，

所述晶体管型保护器件包括：

半导体衬底；

第一导电类型的阱，形成于所述半导体衬底中；

第二导电类型的源极区域，形成于所述阱中；

栅电极，在所述源极区域的一侧经过栅极绝缘膜形成于所述阱 上；

第二导电类型的多个漏极区域，被形成为彼此分开，并且分别与 所述栅电极正下方的阱部分分开预定距离；以及

电阻连接部分，以预定电阻连接在所述多个漏极区域之间，

其中，所述电阻连接部分是第二导电类型的半导体区域，其具有的冶 金学的结形式和杂质浓度轮廓被确定为使得：能够存在当所述多个漏极区 域之一中发生结击穿时在施加漏极偏压的情况下未耗尽的区域。

8.根据权利要求7所述的半导体集成电路，其中，所述电阻连接部分 包括至少一个薄膜电阻，所述薄膜电阻通过触点部分连接到所述多个漏极 区域中的每一个。