[发明专利]相变和阻变随机存取存储器及其执行突发模式操作的方法

权利要求书

1.一种随机存取存储器设备，包括：

第一存储器单元阵列；

第二存储器单元阵列；

放大从所述第一存储器单元阵列读取的数据的第一读出放大器；和

放大从所述第二存储器单元阵列读取的数据的第二读出放大器，

其中所述随机存取存储器设备被配置以使得当在突发模式操作中读取数 据时发生边界跨越时，所述随机存取存储器设备激活所述第一存储器单元阵 列的字线和所述第二存储器单元阵列的字线，并且响应于所述第一存储器单 元阵列的字线的激活，从所述第一存储器单元阵列读取数据，然后响应于所 述第二存储器单元阵列的字线的激活，从所述第二存储器单元阵列读取数据。

2.如权利要求1所述的随机存取存储器设备，其中所述随机存取存储器 设备被配置为，只要在所述突发模式操作期间发生边界跨越，就基本上一起 激活所述第一存储器单元阵列的字线和所述第二存储器单元阵列的字线。

3.如权利要求2所述的随机存取存储器设备，其中所述随机存取存储器 设备被配置为，当在所述突发模式操作期间没有发生边界跨越时，激活所述 第一存储器单元阵列或者所述第二存储器单元阵列的单一字线。

4.如权利要求1所述的随机存取存储器设备，其中当在所述突发模式操 作期间没有发生边界跨越时，以N字为单位读取数据，其中N是自然数，而 且当在突发模式操作期间发生边界跨越时，当所述第一存储器单元阵列的字 线被激活时，以K字为单位读取数据，其中K是小于N的自然数，然后，当 所述第二存储器单元阵列的字线被激活时，以N字为单位读取数据。

5.如权利要求1所述的随机存取存储器设备，其中所述第一和第二存储 器单元阵列的至少一个包括多个金属氧化物半导体(MOS)型相变存储器单 元，或者多个二极管型相变存储器单元。

6.一种随机存取存储器设备，包括：

存储器单元阵列；和

配置为放大从所述存储器单元阵列读取的数据的读出放大器，

其中所述随机存取存储器设备配置为，在突发模式操作期间，当第一边 界跨越发生时，从所述存储器单元阵列的第一字线读取数据，并且插入其中 没有数据读取的伪突发，

其中所述随机存取存储器设备配置为在从所述第一字线读取K比特数据 之前，插入所述伪突发。

7.如权利要求6所述的随机存取存储器设备，其中所述随机存取存储器 设备配置为从所述第一字线读取K比特数据，配置为使得所述伪突发的长度 为N-K比特，且进一步配置为激活第二字线且在从所述第一字线读取数据和 所述伪突发之后，从第二字线中读取N比特数据，并且其中K是小于N的自 然数。

8.如权利要求7所述的随机存取存储器设备，其中所述随机存取存储器 设备配置为，从在所述突发模式操作期间发生的没有插入第二伪突发的第二 边界跨越中涉及的两字线的每一个字线读取N比特数据。

9.如权利要求7所述的随机存取存储器设备，其中在所述伪突发中包括 的伪周期的数量根据所述存储器单元阵列的读取速度、所述存储器单元阵列 的初始时延、和/或所述突发模式操作的初始地址而改变。

10.如权利要求7所述的随机存取存储器设备，其中所述随机存取存储 器设备配置为，在所述突发模式操作中没有边界跨越时，以N比特为单位读 数据。

11.如权利要求6所述的随机存取存储器设备，其中所述存储器单元阵 列包括多个金属氧化物半导体(MOS)型相变存储器单元，或者多个二极管型 相变存储器单元。