[发明专利]单一晶粒尺寸半导体元件封装绝缘批覆结构及批覆方法

权利要求书

1.一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆结构，其特征在于，包括：

一单一晶粒尺寸半导体元件，该单一晶粒尺寸半导体元件具有多组两两相对的侧面，且该多组中的其中一组相对的侧面上分别具有一金属引线区域，该一组相对的侧面为晶片用于工艺加工的上下面，而两金属垫分别设置于该金属引线区域上；

一绝缘批覆层，其覆盖于该单一晶粒尺寸半导体元件的另外不具有该金属垫的侧面上；以及

两端电极，其分别覆盖于该两金属垫及金属引线区域。

2.如权利要求1所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆结构，其特征在于：每一该端电极的两侧端延伸覆盖于该绝缘批覆层上。

3.如权利要求1所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆结构，其特征在于：还包括一具有可焊接性的连接层，该连接层包覆该端电极，且该连接层以电镀方法成型，且该连接层两侧端延伸覆盖于该绝缘批覆层上，其中该连接层至少含有镍成分或者至少含有锡成分。

4.如权利要求1所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆结构，其特征在于：该两金属垫的位置为相互对齐，或者该两金属垫的位置为相互错置而每一该金属垫的位置邻近于其所对应的该侧面的边缘。

5.一种单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一单一晶粒尺寸半导体元件，其具有多组两两相对的侧面，且该多组中的其中一组相对的侧面上分别具有一金属引线区域，该一组相对的侧面为晶片用于工艺加工的上下面，而两金属垫分别设置于该金属引线区域上；

利用一夹具遮蔽该两金属垫的其中之一及其所对应的该金属引线区域；

进行一批覆步骤，以在该单一晶粒尺寸半导体元件上形成一绝缘批覆层；

进行一移除步骤，以裸露被该绝缘批覆层所覆盖的该金属垫；以及

形成两端电极，其分别覆盖于该两金属垫及金属引线区域。

6.如权利要求5所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆方法，其特征在于：在该批覆步骤中，将该夹具及该单一晶粒尺寸半导体元件放置于一镀膜设备；在该批覆步骤之后，将该单一晶粒尺寸半导体元件自该夹具上取下。

7.如权利要求5所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆方法，其特征在于：在形成两端电极的步骤之后，还包括一形成一连接层的步骤，该连接层的两部分分别包覆于该两端电极。

8.如权利要求5所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆方法，其特征在于：该两金属垫的位置为相互对齐；或者该两金属垫的位置为相互错置而每一该金属垫的位置设于其所对应的该侧面的边缘。

9.如权利要求5所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆方法，其特征在于：该单一晶粒尺寸半导体元件的长宽高尺寸为0.6mm×0.3mm×0.5mm、1.0mm×0.5mm×0.5mm、或1.6mm×0.8mm×0.5mm。

10.如权利要求5所述的单一晶粒尺寸半导体元件绝缘批覆方法，其特征在于：该工艺加工包含光刻、薄膜沉积、蚀刻、掺杂。