[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200910253351.2 | 申请日: | 2004-07-02 |
公开(公告)号: | CN101713920A | 公开(公告)日: | 2010-05-26 |
发明(设计)人: | 小谷敏也 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | G03F1/14 | 分类号: | G03F1/14 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;周春燕 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
1.一种半导体器件,其具有基于设计图形的图形,其中:
所述设计图形根据成为设计图形的对象图形和配置于该对象图形附近 的附近图形之间的配置状态被修正了形状;
所述对象图形被分割为:包含于密集图形中的部分,该部分在一个边 缘的端部及中点和配置于其附近的图形之间具有第一距离;形成孤立图形 的部分,该部分在处于与所述包含于密集图形中的部分的所述一个边缘相 同侧的一个边缘的端部及中点和配置于其附近的图形之间具有第二距离, 该第二距离比所述第一距离大;中间部分,其设置于所述包含于密集图形 中的部分和所述形成孤立图形的部分之间,且在处于与所述包含于密集图 形中的部分的所述一个边缘相同侧的一个边缘的、所述包含于密集图形中 的部分侧的端部和配置于该端部附近的图形之间具有所述第一距离,在中 点和配置于该中点附近的图形之间具有所述第二距离;
配置于所述包含于密集图形中的部分的所述一个边缘、所述形成孤立 图形的部分的所述一个边缘及所述中间部分的所述一个边缘的附近的各图 形存在于与这些边缘垂直的方向上;
修正值根据与所述第一距离和所述第二距离对应的规则被附加到所述 形成孤立图形的部分和所述中间部分上,以使得该包含于密集图形中的部 分、该形成孤立图形的部分和该中间部分在所述设计图形的宽度上具有台 阶;
所述规则是:第一规则,对于判断为边缘的端部及中点和配置于其附 近的图形之间的距离相等的边缘,按照与其附近的图形之间的距离来规定 修正值;第二规则,对于判断为边缘的端部和配置于其附近的图形之间的 距离小于边缘的中点和配置于其附近的图形之间的距离的边缘,按照与其 附近的图形之间的距离,应用比所述第一规则的相应分类小的修正值。
2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中:
附加到所述形成孤立图形的部分上的所述修正值比附加到所述中间部 分上的所述修正值大。
3.根据权利要求1所述的半导体器件,其中:
所述对象图形的所述中间部分的一端与所述包含于密集图形中的部分 的一端接触,另一端与所述形成孤立图形的部分的一端接触。
4.根据权利要求1所述的半导体器件,其中:
所述形成孤立图形的部分的所述设计图形的宽度大于所述中间部分的 所述设计图形的宽度。
5.根据权利要求1所述的半导体器件,其中:
所述包含于密集图形中的部分的所述设计图形的宽度小于所述中间部 分的所述设计图形的宽度。
6.根据权利要求1所述的半导体器件,其中:
所述对象图形和配置于该对象图形附近的图形是线图形。
7.根据权利要求6所述的半导体器件,其中:
所述对象图形和配置于该对象图形附近的图形是沿相同方向的线图 形。
8.根据权利要求1所述的半导体器件,其中:
附加到所述形成孤立图形的部分上的所述修正值和附加到所述中间部 分上的所述修正值基于不同的修正规则。
9.根据权利要求1所述的半导体器件,其中:
所述中间部分的所述一个边缘的端部位于所述中间部分的一端。
10.根据权利要求1所述的半导体器件,其中:
所述中间部分的所述一个边缘的中点位于所述中间部分的中点。
11.根据权利要求1所述的半导体器件,其中:
所述中间部分的所述一个边缘的端部位于所述中间部分的一端,所述 中间部分的所述一个边缘的中点位于所述中间部分的中点。
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G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
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G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备