[发明专利]固态成像器件及其制造方法、电子设备、以及半导体器件有效
申请号: | 200910253424.8 | 申请日: | 2009-12-10 |
公开(公告)号: | CN101752396A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 平野荣树;荻野明子;西木户健树;杉浦岩;味沢治彦;吉原郁夫 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82;H01L21/78;H01L23/28;H04N5/335 |
代理公司: | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人: | 柳春雷;南霆 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固态 成像 器件 及其 制造 方法 电子设备 以及 半导体器件 | ||
1.一种固态成像器件,包括:
光电二极管,其针对像素区域中的每个像素分隔形成,其中,多个像 素被集成在半导体衬底的光接收表面上;
绝缘膜,其形成在所述半导体衬底上,以覆盖所述光电二极管;
凹部,其针对每个所述像素形成在所述光电二极管的上部中的所述绝 缘膜中;
硅氧烷树脂的第一光透射层,其在所述像素区域中被形成为填充所述 凹部并构造光学波导;
第二光透射层,其在所述像素区域中被形成为针对每个所述像素构造 片上透镜;以及
保护环,其被形成为围绕所述像素区域的外周,以将外划片区域和包 含所述像素区域的内区域分隔;
其中,还在所述保护环附近和所述划片区域中形成所述第一光透射层 和所述第二光透射层,使得在所述保护环附近和在所述划片区域中,所述 第一光透射层的表面高度低于所述保护环的表面高度,并且所述第一光透 射层和所述第二光透射层之间的界面与所述保护环接触,并且
在所述划片区域内将所述器件划片。
2.根据权利要求1所述的固态成像器件,其中,在所述像素区域中, 针对每个像素在所述第一光透射层和所述第二光透射层之间的界面处形成 颜色过滤器。
3.根据权利要求1所述的固态成像器件,其中,在所述像素区域中、 所述保护环附近以及所述划片区域中,在所述第一光透射层和所述第二光 透射层之间的界面处,形成使光透射的平坦层,作为所述第一光透射层或 所述第二光透射层的一部分。
4.一种固态成像器件,包括:
光电二极管,其针对像素区域中的每个像素分隔形成,其中,多个像 素被集成在半导体衬底的光接收表面上;
绝缘膜,其形成在所述半导体衬底上,以覆盖所述光电二极管;
凹部,其针对每个所述像素形成在所述光电二极管的上部中的所述绝 缘膜中;
硅氧烷树脂的第一光透射层,其在所述像素区域中被形成为填充所述 凹部并构造光学波导;
第二光透射层,其在所述像素区域中被形成为针对每个所述像素构造 片上透镜;以及
保护环,其被形成为围绕所述像素区域的外周,以将外划片区域和包 含所述像素区域的内区域分隔;
其中,在所述划片区域的至少一部分中移除所述第一光透射层,并在 已经移除了所述第一光透射层的区域中将所述器件划片,
其中,在所述划片区域的至少一部分中移除所述第一光透射层,并在 已经移除所述第一光透射层的区域中形成所述第二光透射层,并在已经移 除所述第一光透射层的区域中将所述器件划片以切割所述第二光透射层。
5.根据权利要求4所述的固态成像器件,其中,在所述划片区域全体 中移除所述第一光透射层,并在所述划片区域中形成所述第二光透射层, 并且在所述划片区域中将所述器件划片以切割所述第二光透射层。
6.根据权利要求4所述的固态成像器件,其中,移除所述第一光透射 层,并在俯视图中,所述第一光透射层被布局为具有倒圆的角部。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的固态成像器件,其中,在所述 像素区域中,针对每个像素在所述第一光透射层和所述第二光透射层之间 的界面处形成颜色过滤器。
8.根据权利要求4至6中任一项所述的固态成像器件,其中,在所述 像素区域中、所述保护环附近以及所述划片区域中,在所述第一光透射层 和所述第二光透射层之间的界面处,形成使光透射的平坦层,作为所述第 一光透射层或所述第二光透射层的一部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的