[发明专利]固态成像器件及其制造方法、电子设备、以及半导体器件有效

专利信息
申请号: 200910253424.8 申请日: 2009-12-10
公开(公告)号: CN101752396A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 平野荣树;荻野明子;西木户健树;杉浦岩;味沢治彦;吉原郁夫 申请(专利权)人: 索尼株式会社
主分类号: H01L27/146 分类号: H01L27/146;H01L21/82;H01L21/78;H01L23/28;H04N5/335
代理公司: 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人: 柳春雷;南霆
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 固态 成像 器件 及其 制造 方法 电子设备 以及 半导体器件
【权利要求书】:

1.一种固态成像器件,包括:

光电二极管,其针对像素区域中的每个像素分隔形成,其中,多个像 素被集成在半导体衬底的光接收表面上;

绝缘膜,其形成在所述半导体衬底上,以覆盖所述光电二极管;

凹部,其针对每个所述像素形成在所述光电二极管的上部中的所述绝 缘膜中;

硅氧烷树脂的第一光透射层,其在所述像素区域中被形成为填充所述 凹部并构造光学波导;

第二光透射层,其在所述像素区域中被形成为针对每个所述像素构造 片上透镜;以及

保护环,其被形成为围绕所述像素区域的外周,以将外划片区域和包 含所述像素区域的内区域分隔;

其中,还在所述保护环附近和所述划片区域中形成所述第一光透射层 和所述第二光透射层,使得在所述保护环附近和在所述划片区域中,所述 第一光透射层的表面高度低于所述保护环的表面高度,并且所述第一光透 射层和所述第二光透射层之间的界面与所述保护环接触,并且

在所述划片区域内将所述器件划片。

2.根据权利要求1所述的固态成像器件,其中,在所述像素区域中, 针对每个像素在所述第一光透射层和所述第二光透射层之间的界面处形成 颜色过滤器。

3.根据权利要求1所述的固态成像器件,其中,在所述像素区域中、 所述保护环附近以及所述划片区域中,在所述第一光透射层和所述第二光 透射层之间的界面处,形成使光透射的平坦层,作为所述第一光透射层或 所述第二光透射层的一部分。

4.一种固态成像器件,包括:

光电二极管,其针对像素区域中的每个像素分隔形成,其中,多个像 素被集成在半导体衬底的光接收表面上;

绝缘膜,其形成在所述半导体衬底上,以覆盖所述光电二极管;

凹部,其针对每个所述像素形成在所述光电二极管的上部中的所述绝 缘膜中;

硅氧烷树脂的第一光透射层,其在所述像素区域中被形成为填充所述 凹部并构造光学波导;

第二光透射层,其在所述像素区域中被形成为针对每个所述像素构造 片上透镜;以及

保护环,其被形成为围绕所述像素区域的外周,以将外划片区域和包 含所述像素区域的内区域分隔;

其中,在所述划片区域的至少一部分中移除所述第一光透射层,并在 已经移除了所述第一光透射层的区域中将所述器件划片,

其中,在所述划片区域的至少一部分中移除所述第一光透射层,并在 已经移除所述第一光透射层的区域中形成所述第二光透射层,并在已经移 除所述第一光透射层的区域中将所述器件划片以切割所述第二光透射层。

5.根据权利要求4所述的固态成像器件,其中,在所述划片区域全体 中移除所述第一光透射层,并在所述划片区域中形成所述第二光透射层, 并且在所述划片区域中将所述器件划片以切割所述第二光透射层。

6.根据权利要求4所述的固态成像器件,其中,移除所述第一光透射 层,并在俯视图中,所述第一光透射层被布局为具有倒圆的角部。

7.根据权利要求4至6中任一项所述的固态成像器件,其中,在所述 像素区域中,针对每个像素在所述第一光透射层和所述第二光透射层之间 的界面处形成颜色过滤器。

8.根据权利要求4至6中任一项所述的固态成像器件,其中,在所述 像素区域中、所述保护环附近以及所述划片区域中,在所述第一光透射层 和所述第二光透射层之间的界面处,形成使光透射的平坦层,作为所述第 一光透射层或所述第二光透射层的一部分。

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