[发明专利]等离子体处理方法无效
| 申请号： | 200910253426.7 | 申请日： | 2002-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN101752244A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 菅原卓也;中西敏雄;尾﨑成则;松山征嗣;村川惠美;多田吉秀 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/3105;H01L21/8247;H01L21/28;C23C16/56;C23C16/40 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人： | 宋鹤;南霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种等离子体处理方法，包括：
在衬底上形成绝缘膜的工序；和
将该衬底上所形成的绝缘膜暴露在由处理气体生成的等离子体中，将 所述绝缘膜改性的工序；
其中，所述处理气体包括稀有气体和氢，以及氧气或氮气，
所述绝缘膜在室温至700℃的温度下被进行改性，并且，
所述绝缘膜在20～5000mTorr的压力下被进行改性。
2.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其中
所述绝缘膜是SiO2膜。
3.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其中
所述稀有气体选自氪、氩、氦。
4.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其中
所述绝缘膜是从SiO2、氮氧化硅膜、氮化硅、氧化铝、氧化锆、氧化 铪、硅酸盐以及铝酸盐组成的组中所选择的一种或者两种以上。
5.如权利要求4所述的等离子体处理方法，其中
所述绝缘膜包括具有ZrSiO或HfSiO组成的硅酸盐，或者所述绝缘膜 包括具有ZrAlO或HfAlO组成的铝酸盐。
6.如权利要求1所述的等离子体处理方法，其中
所述等离子体具有0.5～2eV的电子能级。
7.如权利要求1所述的待处理衬底的处理方法，其中
所述绝缘膜是SiO2膜，所述SiO2膜通过从CVD、高温热氧化或等离 子体中选择的任何一种形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
