[发明专利]馈电元件以及电极支架无效
申请号: | 200910253435.6 | 申请日: | 2009-12-10 |
公开(公告)号: | CN101752186A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 贾恩卡洛·德·比利亚戈麦斯;杰拉尔德·黑默;托马斯·诺尔 | 申请(专利权)人: | 奥斯兰姆有限公司 |
主分类号: | H01J61/24 | 分类号: | H01J61/24;H01J61/10 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 王萍;陈炜 |
地址: | 德国*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 馈电 元件 以及 电极 支架 | ||
1.一种用于电极(4)的馈电元件,该馈电元件长形地构建,其特征在于,馈电元件(2,3)的长形部分具有第一区段(8,10),该第一区段在外侧具有形成汞齐的材料。
2.根据权利要求1所述的馈电元件,其特征在于,第一区段(8,10)设计用于与电极(4)连接。
3.根据权利要求1或2所述的馈电元件,其特征在于,馈电元件(2,3)的长形部分具有第一区段(8,10)并且包括第二区段(9,11),所述第一区段在外侧具有形成汞齐的材料,所述第二区段在外侧具有抑制汞齐形成的材料。
4.根据权利要求3所述的馈电元件,其特征在于,馈电元件(2,3)的长形部分的两个区段(8至11)直接彼此邻接。
5.根据权利要求3或4所述的馈电元件,其特征在于,第一区段(8,10)构建用于夹持电极(4)。
6.根据权利要求3至5中的任一项所述的馈电元件,其特征在于,抑制汞齐形成的材料具有镍。
7.根据权利要求3至6中的任一项所述的馈电元件,其特征在于,在第二区段(9,11)中阻碍汞齐形成的材料以小于10μm、特别是在1μm至5μm之间的层厚度来构建。
8.根据权利要求3至7中的任一项所述的馈电元件,其特征在于,馈电元件(2,3)具有材料芯(12),该材料芯被带有形成汞齐的材料的层(13)包围,其中形成汞齐的材料在第二区段(9,11)中被抑制汞齐形成的材料的层(14)包围。
9.根据权利要求8所述的馈电元件,其特征在于,材料芯(12)具有铁和镍,特别是由铁和镍构成。
10.根据权利要求9所述的馈电元件,其特征在于,在材料芯(12)中的镍成分在30的重量百分比到60的重量百分比之间,特别是在35的重量百分比到45的重量百分比之间,尤其是42的重量百分比。
11.根据权利要求3至10中的任一项所述的馈电元件,其特征在于,形成汞齐的材料的量设定为使得在与工作汞齐的协作中在室温情况下每100ml灯容积能够吸收0.02mg到0.1mg之间的汞。
12.根据上述权利要求中的任一项所述的馈电元件,其特征在于,形成汞齐的材料具有铜。
13.根据权利要求12所述的馈电元件,其特征在于,形成汞齐的材料具有在20到50之间的重量百分比,特别是在20到30之间的重量百分比,尤其是25的重量百分比。
14.根据上述权利要求中的任一项所述的馈电元件,其特征在于,馈电元件(2,3)的长形部分的第一区段(8,10)是馈电元件(2,3)的端部区段(5,6),并且特别是第一区段(8,10)构建为长形的杆,该杆为了保持电极(4)而被弯曲。
15.一种用于放电灯的电极支架,其具有根据上述权利要求中的任一项所述的馈电元件(2,3)。
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