[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种图像传感器，包括：

位于第一衬底中的读出电路；

位于所述第一衬底上方的互连件，所述互连件电连接至所述读出电路；

位于所述互连件上方的图像感测器件，所述图像感测器件包括第一导电类型导电层和第二导电类型导电层；

位于所述图像感测器件的所述第二导电类型导电层的一部分中的第一导电类型离子注入层；以及

穿透所述第一导电类型离子注入层和所述第一导电类型导电层的通路插塞，所述通路插塞将所述第一导电类型导电层电连接至所述互连件。

2.根据权利要求1所述的图像传感器，其中所述第一导电类型离子注入层形成为其深度大于所述第二导电类型导电层的深度。

3.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括位于所述图像感测器件的像素边界的像素隔离离子注入层。

4.根据权利要求1所述的图像传感器，还包括所述第一衬底中的电结区，所述电结区将所述互连件电连接至所述读出电路。

5.根据权利要求4所述的图像传感器，还包括位于所述电结区与所述互连件之间的第一导电类型连接件，所述第一导电类型连接件在所述电结区的上部电连接至所述互连件。

6.根据权利要求4所述的图像传感器，还包括位于所述电结区与所述互连件之间的第一导电类型连接件，所述第一导电类型连接件在所述电结区的一侧电连接至所述互连件。

7.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述读出电路包括晶体管，以及其中所述电结区位于所述晶体管的源极区，且所述电结区的离子注入浓度小于位于所述晶体管的漏极区的浮置扩散区的离子注入浓度。

8.根据权利要求4所述的图像传感器，其中所述读出电路包括晶体管，其中所述电结区位于所述晶体管的源极，且在所述晶体管的源极与漏极之间提供电荷电势差。

9.一种制造图像传感器的方法，包括以下步骤：

在第一衬底中形成读出电路；

在所述第一衬底上方形成互连件，所述互连件电连接至所述读出电路；

在所述互连件上方形成图像感测器件，所述图像感测器件包括第一导电类型导电层和第二导电类型导电层；

在所述第二导电类型导电层的一部分中形成第一导电类型离子注入层；以及

形成穿透所述第一导电类型离子注入层和所述第一导电类型导电层的通路插塞，所述通路插塞将所述第一导电类型导电层电连接至所述互连件。

10.根据权利要求9所述的方法，还包括在所述第一衬底中形成电结区，所述电结区将所述互连件电连接至所述读出电路；

其中所述读出电路包括晶体管，以及其中所述电结区形成在所述晶体管的源极区，且所述电结区的离子注入浓度小于所述晶体管的漏极区处形成的浮置扩散区的离子注入浓度。