[发明专利]光电转换器件及其制造方法有效
申请号: | 200910253821.5 | 申请日: | 2004-05-28 |
公开(公告)号: | CN101707203A | 公开(公告)日: | 2010-05-12 |
发明(设计)人: | 桥本荣 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H01L21/82 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 康建忠 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种具有多个像素的有源像素传感器,所述多个像素包括:
光电转换部件(1),设置在半导体元件上;
放大元件,被配置为放大信号电荷;
并且所述有源像素传感器还包括:
部件隔离区(2),与所述光电转换部件相邻;
第一绝缘薄膜(3),设置在所述半导体元件上,所述第一绝缘 薄膜的上表面被平面化;
第一图案(4),设置在所述第一绝缘薄膜(3)上和所述部件隔 离区(2)上方;
第二绝缘薄膜(5),设置在第一图案上,所述第二绝缘薄膜的 上表面被平面化;
第二图案(6),设置在所述第二绝缘薄膜(5)上和所述部件隔 离区(2)上方;
第三绝缘薄膜(7),设置在第二图案上,所述第三绝缘薄膜的 上表面被平面化;
夹层透镜层(8),包括上凸形夹层透镜,所述夹层透镜层被设 置在所述第三绝缘薄膜上,并且不与第二图案接触;
第一平面层(9),设置在所述夹层透镜层上;
滤色片层(10),设置在所述第一平面层上;
第二平面层(11),设置在所述滤色片层上;以及
微型透镜层(12),包括上凸形微型透镜,所述微型透镜层被设 置在所述第二平面层上。
2.根据权利要求1的有源像素传感器,其中在一个像素的夹层 透镜和相邻像素的夹层透镜之间的区域是平的,并且所述在一个像素 的夹层透镜和相邻像素的夹层透镜之间的区域被设置在所述部件隔离 区上方。
3.根据权利要求1的有源像素传感器,其中所述滤色片层包括 根据进入到所述多个像素中的每一个像素的光电转换部件的色彩而安 排的色彩图案。
4.根据权利要求1的有源像素传感器,还包括被配置成连接到 外部电路的衬垫部分,其中夹层透镜层的一部分在所述衬垫部分上方 具有开口,并且被设置在所述衬垫部分的一部分上方。
5.根据权利要求1的有源像素传感器,还包括光屏蔽部件,所 述光屏蔽部件被配置为形成光屏蔽区以便形成标准信号,其中所述滤 色片层被设置为还在所述光屏蔽部件上方。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的