[发明专利]带有整合旁路电容器的紧密半导体封装及其方法有效
申请号: | 200910253870.9 | 申请日: | 2009-12-04 |
公开(公告)号: | CN101752358A | 公开(公告)日: | 2010-06-23 |
发明(设计)人: | 弗兰茨娃·赫尔伯特;刘凯 | 申请(专利权)人: | 万国半导体有限公司 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L23/48;H01L23/52;H01L23/31;H01L21/50;H01L21/60;H01L21/56 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 姜玉芳;徐雯琼 |
地址: | 美国加利福尼*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 带有 整合 旁路 电容器 紧密 半导体 封装 及其 方法 | ||
1.一种带有整合旁路电容器的紧密半导体封装,其特征在于,该半导体封装包括:
一个带有数个终端引线的电路衬底,用于外部电接线;
数个底面连接在电路衬底上面的半导体芯片;
数个高度一自适应的互联板,用于连接每个半导体芯片的顶部接触区,并将其互联至电路衬底上,在三维成型的同时,适应顶部接触区和电路衬底之间的高度差,于是形成顶部接触区与终端引线之间的电接线;
第一个高度一自适应的互联板结构具有一个第一平顶区域,第二个高度一自适应的互联板结构具有一个第二平顶区域,此区域与第一平顶区域一样高;
一个带有两个末端电容器端子的旁路电容器,堆积在两个互联板结构上,并通过第一平顶区域和第二平顶区域连接在互联板结构上;
其中,旁路电容器紧密整合在半导体封装内,降低了互联寄生阻抗。
2.一种带有整合旁路电容的紧密半导体封装,其特征在于,该半导体封装包括:
一个带有数个终端引线的电路衬底,用于外部电接线;
数个底面连接在电路衬底上面的半导体芯片;
第一高度一自适应的互联板,用于将所述的半导体芯片的顶部接触区连接和互联至所述的电路衬底上,在三维成型的同时,适应顶部接触区和电路衬底之间的高度差,于是形成所述的顶部接触区与所述的终端引线之间的电接线;
第二高度一自适应的互联板,用于连接所述的半导体芯片的顶部接触区,形成数个终端引线,用于外部电接线,并在三维成型的同时,适应之间的高度差;
所述的第一高度一自适应的互联板的第一部分还包括一个第一平顶区域,其第二部分还包括一个和第一平顶区域一样高的第二平顶区域;
以及一个带有两个末端电容端子的旁路电容器,堆积在两个互联板部分上,并通过第一平顶区域和第二平顶区域连接在互联板上;
其中,旁路电容器紧密整合在半导体封装内,降低了互联寄生阻抗。
3.如权利要求1中所述的紧密半导体封装,其特征在于,其中所述的每个高度一自适应的互联板还包括:
第一低热阻、低电阻的紧密互联板,用于连接所述的半导体芯片的顶部接触区,并将其互联至所述的电路衬底上;
和第二低热阻的堆积式互联板,每个第二堆积式互联板都堆积并连接在所选的紧密互联板上,以便增加紧密半导体封装的有效散热。
4.如权利要求1中所述的紧密半导体封装,其特征在于,还包括一种成型密封剂,用于密封半导体封装中的区域,除了旁路电容器的顶面以外,以便保持有效的顶部散热。
5.如权利要求1中所述的紧密半导体封装,其特征在于,还包括一种成型密封剂,用于密封半导体封装中的区域,除了第一平顶区域和第二平顶区域以外。
6.如权利要求3中所述的紧密半导体封装,其特征在于,还包括一种成型密封剂,用于密封半导体封装中的区域,除了旁路电容器的顶面以外,以便保持有效的顶部散热。
7.如权利要求3中所述的紧密半导体封装,其特征在于,还包括一种成型密封剂,用于密封半导体封装中的区域,除了第一平顶区域和第二平顶区域以外。
8.如权利要求3中所述的紧密半导体封装,其特征在于,其中至少一个堆积式互联板的顶部还含有一个在紧密互联板上的外围突出部,此突出部使得所述的至少一个堆积式互联板的顶面区域达到最大,用于为下面的紧密互 联板散热,而不受其他区域的限制。
9.如权利要求8中所述的紧密半导体封装,其特征在于,其中所述的至少一个堆积式互联板外围在其低边被部分刻蚀,以生成外围突出部。
10.如权利要求8中所述的紧密半导体封装,其特征在于,其中所述的至少一个堆积式互联板三维成型,以生成外围突出部。
11.如权利要求8中所述的紧密半导体封装,其特征在于,其中每个所述的紧密互联板的形状和尺寸都不依赖于它对应的堆积式互联板的顶面积,以使它们在半导体芯片上相应的连接面积达到最大,这就降低了它们的关联扩散电阻。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于万国半导体有限公司,未经万国半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910253870.9/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:形成半导体结构的方法
- 下一篇:发光装置
- 同类专利
- 专利分类