[发明专利]电子输送-注入化合物及使用它的有机电致发光器件

说明书

本申请要求于2008年12月16日在韩国递交的韩国专利申请 10-2008-0128026的权利，在此通过引用将其并入本文。

技术领域

本发明涉及电子输送-注入化合物和有机电致发光器件(OELD)，更具 体而言，涉及具有高发光效率的电子输送-注入化合物和使用该红色磷光 化合物的OELD。

背景技术

近来，对于具有较大显示区域和较小占用空间的平板显示器件的需 求一直在增大。在平板显示器件中，与无机电致发光器件、液晶显示器 件和等离子体显示面板等相比，OELD具有多方面优势。OELD器件具有 优异的视角和对比度等特性。此外，由于OELD器件不需要背光组件， 因此OELD器件重量轻并且能耗低。此外，OELD器件还具有响应速度 高和生产成本低等优点。

通常，OELD通过以下方式发光：由阴极和阳极向发光化合物层中 分别注入电子和空穴，使电子与空穴结合，产生激子，并使激子由激发 态转变为基态。可以使用柔性基体(例如塑料基体)作为形成有元件的 基础基体。OELD具有优异的视角和对比度等特性。此外，由于OELD 不需要背光组件，因此OELD重量轻并且能耗低。此外，OELD还具有 响应速度高、生产成本低和色纯度高等优点。OELD可以在低于运行其 它显示器件所需电压的电压下(例如，10V以下)运行。另外，OELD 能够产生全色图像。

下面简要说明制造OELD的常用方法。首先，通过沉积透明的导电 性化合物，例如氧化铟锡(ITO)，在基体上形成阳极。接下来，在阳极上 形成空穴注入层(HIL)。例如，HIL可以由铜酞菁(CuPC)形成，并具有大 约10nm～大约30nm的厚度。然后，在HIL上形成空穴输送层(HTL)。 例如，HTL可以由4，4’-双[N-(1-萘基)-N-苯基氨基]-联苯(NPB或NPD)形 成，并具有大约30nm～大约60nm的厚度。随后，在HTL上形成发光 化合物层(EML)。可以向EML掺杂掺杂剂。

然后，在EML上层叠电子输送层(ETL)和电子注入层(EIL)。例如， ETL可以由三(8-羟基-喹啉)铝(Alq3)形成。在EIL上形成阴极，并在阴极 上形成钝化层。

如上所述，该有机电致发光二极管包含阳极、HIL、HTL、EML、 ETL、EIL和阴极，并将Alq3用于ETL。遗憾的是，具有金属络合物结 构的Alq3需要较高的驱动电压并产生较低的效率。因此，需要开发具有 高效率和亮度的电子输送化合物。

为获得高电流效率，需要具备高内量子效率。特别是，如图1所示， 随着OELD的蓝色纯度的提高(即，随着CIE色度坐标上的Y指标的减 小)，来自OELD的图像的相对光谱灵敏度将会降低。因此，很难获得高 发光效率的OELD。

发明内容

因此，本发明涉及电子输送-注入化合物和使用它的有机电致发光器 件(OELD)，所述器件基本上解决了一个或多个因背景技术的限制和缺陷 所导致的问题。

本发明的一个目的是提供具有高发光效率、低驱动电压和长使用寿 命的电子输送-注入化合物。

本发明的另一个目的是提供使用该电子输送-注入化合物的OELD 器件。

将在下文中说明本发明的其它特征和优点，部分特征和优点会由描 述而变得显而易见，或者是可以通过本发明的实践而获知的。本发明的 目的和其它优点将通过说明书和其权利要求及附图中所具体指出的结构 实现或达到。

为实现上述优点和其它优点以及根据本发明的目的，如同本文所具 体表达和概括性描述的，电子输送-注入化合物由下式1表示：[式1] 其中，R₁、R₂和R₃各自选自具有取代基或不具有取代基 的芳香族基团、具有取代基或不具有取代基的杂环基团或者具有取代基 或不具有取代基的脂肪族基团，并且R₂和R₃中的至少一个选自具有取代 基或不具有取代基的杂环基团。