[发明专利]低温烧结超低温度变化率低频介质陶瓷及其制备方法无效
| 申请号： | 200910254380.0 | 申请日： | 2009-12-22 |
| 公开（公告）号： | CN101747036A | 公开（公告）日： | 2010-06-23 |
| 发明（设计）人： | 苏皓;方芳 | 申请（专利权）人： | 河北理工大学 |
| 主分类号： | C04B35/468 | 分类号： | C04B35/468;C04B35/622;H01B3/12 |
| 代理公司： | 唐山永和专利商标事务所 13103 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 063000 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 低温 烧结 温度 变化 低频 介质 陶瓷 及其 制备 方法 | ||
1.一种低温烧结超低温度变化率低频介质陶瓷的制备方法，构成低频介 质陶瓷的组分及其原料重量百分比如下：BaTiO3为57～72％，PbTiO3熔块为6～ 12％，(Na，Bi)TiO3熔块为9～16％，Nb2O5为4～8％，MgO为0.7～1.5％，Sm2O3为0.1～3％，SnO2为1.2～5％，ZnO为0.2～3％，其特征在于，所述的制备方 法包括如下步骤：
(1)预制PbTiO3熔块：按PbO与TiO2的重量比为1～1.2配料，将配料 置入球磨机，加1～3倍体积去离子水球磨1～12小时，在105℃环境下烘干 或进行喷雾干燥得到粉料，将粉料通过200目的筛网，将筛下粉料加热至930 ℃～960℃保温2～3小时，室温冷却制得PbTiO3熔块；
(2)预制(Na，Bi)TiO3熔块：按NaCO3、Bi2O3与TiO2的重量比为a∶b∶c 配料，其中a值为70～73，b值为115～118，c值为154～164；将配料置入球 磨机，加1～3倍体积去离子水球磨1～12小时，在105℃环境下烘干或进行 喷雾干燥得到粉料，将粉料通过200目的筛网，将筛下粉料加热至900℃～ 920℃保温1.5～2.5小时，室温冷却制得(Na，Bi)TiO3熔块；
(3)按照重量BaTiO3为57～72％，PbTiO3熔块为6～12％，(Na，Bi)TiO3熔块为9～16％，Nb2O5为4～8％，MgO为0.7～1.5％，Sm2O3为0.1～3％，SnO2为 1.2～5％，ZnO为0.2～3％配制原料，将所配原料置入球磨机，加1～3倍体 积的去离子水球磨1～12小时；然后
在105℃环境下烘干或进行喷雾干燥得到粉料，将粉料通过500目的筛网， 在筛下粉料中加入5％～6％重量比的有机粘合剂或石蜡，加90～120Mpa压强 制成生坯，之后加热至840℃～875℃保温2～3小时，室温冷却制得陶瓷介 质。
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