[发明专利]一种具有高储能密度的薄膜电容器及其制备方法

权利要求书

1.一种具有高储能密度的薄膜电容器，其特征在于，包括衬底，垂直叠置在衬底上的至少一个薄膜电容器层；所述薄膜电容器层包含依次垂直叠置的下金属电导子层、下耐击穿子层、中间储能薄膜子层、上耐击穿子层、上金属电导子层。

2.根据权利要求1所述的一种具有高储能密度的薄膜电容器，其特征在于，所述中间储能薄膜子层为钛酸钡薄膜、铋锌铌薄膜或钛酸锶钡薄膜。

3.根据权利要求1所述的一种具有高储能密度的薄膜电容器，其特征在于，所述上、下耐击穿子层为二氧化硅、三氧化二铝或者氮化硅。

4.根据权利要求1所述的一种具有高储能密度的薄膜电容器，其特征在于，所述上、下金属电导子层为铂、铜、铝或镍。

5.根据权利要求1所述的一种具有高储能密度的薄膜电容器，其特征在于，所述衬底为硅片或氧化铝陶瓷。

6.根据权利要求1所述的一种具有高储能密度的薄膜电容器的制备方法，其特征在于，首先选择硅或者氧化铝陶瓷做衬底，然后在衬底上面依次制备一层或多层薄膜电容器层；

其中，薄膜电容器层的制备包括以下步骤：

1)用磁控溅射方法沉积一层厚度为50-200nm的铂、铜、铝或镍元素的下金属电导子层；

2)在下金属电导子层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积一层厚度为10-50nm的二氧化硅、三氧化二铝或者氮化硅材质的下耐击穿子层；

3)在下耐击穿子层上采用磁控溅射法、脉冲激光沉积法或化学溶液沉积法沉积一层厚度为0.5-5μm的钛酸钡薄膜、铋锌铌薄膜或钛酸锶钡薄膜作为中间储能薄膜子层；

4)在中间储能薄膜子层上采用磁控溅射法或脉冲激光沉积法沉积-层厚度为10-50nm的二氧化硅、三氧化二铝或者氮化硅材质的上耐击穿子层；

5)然后，高温烧结，烧结温度为600-800℃，时间为10-30分钟；

6)最后，用磁控溅射方法沉积一层厚度为50-200nm的铂、铜、铝或镍元素的下金属电导子层。