[发明专利]一种SiC或Si衬底GaN基晶体的结构及其生长方法

权利要求书

1.一种SiC或Si衬底GaN基晶体的结构，自下至上包括SiC或Si衬底、AlN缓冲层、N型GaN层、MQW层和P型GaN层，其特征是：AlN缓冲层具有3-5个三维和二维循环，三维AlN的厚度为50nm-100nm，二维AlN的厚度为30nm-60nm。

2.一种权利要求1所述SiC或Si衬底GaN基晶体的生长方法，其特征是：采用MOCVD方法生长，在SiC或Si衬底上生长AlN缓冲层，AlN缓冲层是通过三维和二维循环增长的谐振生长方式获得，具体包括以下步骤：

(1)在900℃-1100℃下在SiC或Si衬底上沉积一层高温AlN缓冲层，具体过程为：先在900℃-1000℃、NH₃流量为2L/分钟-4L/分钟的条件下进行AlN的三维生长，生长厚度为50nm-100nm，得到粗糙的表面；接着在1000℃-1100℃、NH₃流量为1L/分钟-3L/分钟的条件下进行AlN的二维生长，生长厚度为30nm-60nm，得到平整的表面，这样三维生长和二维生长循环3-5次；

(2)然后按常规方法在950℃-1100℃生长1um厚的N型GaN层、在600℃-900℃生长80nm-200nm厚的MQW层、在700℃-1000℃生长150nm-300nm厚的P型GaN层。