[发明专利]场效应晶体管、场效应晶体管的制造方法和显示装置有效

专利信息
申请号: 200910258502.3 申请日: 2009-12-11
公开(公告)号: CN101752428A 公开(公告)日: 2010-06-23
发明(设计)人: 上田未纪;岩崎达哉;板垣奈穗;高亚阿米达 申请(专利权)人: 佳能株式会社
主分类号: H01L29/786 分类号: H01L29/786;H01L29/12;H01L21/34;H01L27/32
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 代理人: 魏小薇
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 场效应 晶体管 制造 方法 显示装置
【权利要求书】:

1.一种场效应晶体管,包括:

半导体层;和

栅电极,该栅电极被设置在半导体层之上使得其间具有栅绝缘层,

其中,所述半导体层包含:第一非晶氧化物半导体层,所述第一 非晶氧化物半导体层包含选自由Zn和In构成的组的至少一种元素; 以及第二非晶氧化物半导体层,所述第二非晶氧化物半导体层包含选 自由Ge和Si构成的组的至少一种元素和选自由Zn和In构成的组的 至少一种元素。

2.根据权利要求1的场效应晶体管,

其中,第一非晶氧化物半导体层包含Zn和In,并且,

第二非晶氧化物半导体层包含Zn、In和Ge。

3.根据权利要求1的场效应晶体管,其中,第一非晶氧化物半导 体层被设置在栅绝缘层和第二非晶氧化物半导体层之间。

4.根据权利要求2的场效应晶体管,其中,包含于第二非晶氧化 物半导体层中的Ge的成分比Ge/(In+Zn+Ge)大于或等于0.01且小 于或等于0.4。

5.根据权利要求4的场效应晶体管,其中,包含于第二非晶氧化 物半导体层中的Ge的成分比Ge/(In+Zn+Ge)大于或等于0.03且小 于或等于0.15。

6.根据权利要求2的场效应晶体管,其中,包含于第一非晶氧化 物半导体层中的Zn的成分比Zn/(In+Zn)大于或等于0.3且小于0.75。

7.根据权利要求6的场效应晶体管,其中,包含于第一非晶氧化 物半导体层中的Zn的成分比Zn/(In+Zn)小于0.4。

8.根据权利要求2的场效应晶体管,其中,包含于第一非晶氧化 物半导体层中的Zn的成分比Zn/(In+Zn)与包含于第二非晶氧化物 半导体层中的Zn的成分比Zn/(In+Zn)相同。

9.根据权利要求1~8中的任一项的场效应晶体管,其中,第二非 晶氧化物半导体层的一部分被设置在源电极或漏电极与第一非晶氧化 物半导体层之间。

10.根据权利要求1~8中的任一项的场效应晶体管,其中,栅绝 缘层包含硅氧化物。

11.一种场效应晶体管,该场效应晶体管是薄膜晶体管,该场效 应晶体管包括:

半导体层;和

栅电极,该栅电极被设置在半导体层之上使得其间具有栅绝缘膜,

其中,所述半导体层包含第一和第二非晶氧化物半导体层,所述 第一和第二非晶氧化物半导体层各包含选自由Zn和In构成的组的至 少一种元素,并且,

包含于第一非晶氧化物半导体层中的Zn的成分比Zn/(In+Zn) 比包含于第二非晶氧化物半导体层中的Zn的成分比Zn/(In+Zn)小。

12.根据权利要求11的场效应晶体管,其中,第一非晶氧化物半 导体层被设置在栅绝缘膜和第二非晶氧化物半导体层之间。

13.一种根据权利要求1~12中的任一项的场效应晶体管的制造方 法,该方法包括以下步骤:

形成第一非晶氧化物半导体层;和

形成第二非晶氧化物半导体层,

其中,在同一装置中进行第一非晶氧化物半导体层的形成和第二 非晶氧化物半导体层的形成,并且,

在第一非晶氧化物半导体层的形成和第二非晶氧化物半导体层的 形成的整个过程中,装置内的压力在真空气氛内被维持在300Pa或更 低,或者在不活泼气体气氛中被维持在大气压力或更低。

14.一种显示装置,包括:

根据权利要求1~12中的任一项的场效应晶体管;和

被所述场效应晶体管驱动的有机EL元件。

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