[发明专利]半导体发光器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

(A)发光部分，通过依次层叠具有第一导电类型的第一化合物 半导体层、有源层、和具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型 的第二化合物半导体层而获得；

(B)第一电极，电连接到所述第一化合物半导体层；

(C)透明导电材料层，形成在所述第二化合物半导体层上；

(D)绝缘层，包括透明绝缘材料并且具有开口，所述绝缘层形 成在所述透明导电材料层上；和

(E)第二电极，其反射来自于所述发光部分的光，所述第二电 极以连续方式形成在暴露于所述开口的底部的所述透明导电材料层 上和所述绝缘层上，

其中，假定构成所述发光部分的有源层的面积为S₁，所述透明 导电材料层的面积为S₂，所述绝缘层的面积为S₃，以及所述第二电极 的面积为S₄，则满足S₁≤S₂＜S₃且S₂＜S₄。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述透明导电 材料层透射从所述发光部分发出的光的90％或更多。

3.根据权利要求2所述的半导体发光器件，其中所述透明导电 材料层包括Au、Ni、Pt、ITO、IZO或RuO₂。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述绝缘层包 括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化钽、氧化锆、氧化铝、氮化铝、 氧化钛、氧化镁、氧化铬、氧化钒、氮化钽或电介质多层膜。

5.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述第二电极 包括银、银合金、铝或铝合金。

6.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中来自于所述有 源层的光通过所述第一化合物半导体层发射到外面。

7.一种用于制造半导体发光器件的方法，包括步骤：

(a)在半导体发光器件制造衬底的主要表面上依次形成具有第 一导电类型的第一化合物半导体层、有源层、和具有不同于第一导电 类型的第二导电类型的第二化合物半导体层；

(b)在所述第二化合物半导体层上形成透明导电材料层；

(c)在所述透明导电材料层上形成绝缘层，该绝缘层包括透明 绝缘材料并且具有开口；

(d)以连续方式在暴露于所述开口的底部的所述透明导电材料 层上以及在所述绝缘层上形成反射来自于发光部分的光的第二电极；

(e)将所述第二电极接合到支撑衬底，并且除去所述半导体发 光器件制造衬底；以及

(f)对所述第一化合物半导体层、所述有源层、所述第二化合 物半导体层以及所述透明导电材料层构图，以获得所述发光部分，然 后对所述绝缘层和所述第二电极构图，在所述发光部分中所述第一化 合物半导体层、所述有源层和所述第二化合物半导体层被依次层叠，

其中，假定构成所述发光部分的有源层的面积为S₁，所述透明 导电材料层的面积为S₂，所述绝缘层的面积为S₃，以及所述第二电极 的面积为S₄，则满足S₁≤S₂＜S₃且S₂＜S₄。

8.根据权利要求7所述的用于制造半导体发光器件的方法，其 中所述透明导电材料层透射从所述发光部分发出的光的90％或更多。

9.根据权利要求8所述的用于制造半导体发光器件的方法，其 中所述透明导电材料层包括Au、Ni、Pt、ITO、IZO或RuO₂。

10.根据权利要求7所述的用于制造半导体发光器件的方法，其 中所述绝缘层包括氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化钽、氧化锆、氧 化铝、氮化铝、氧化钛、氧化镁、氧化铬、氧化钒、氮化钽或电介质 多层膜。

11.根据权利要求7所述的用于制造半导体发光器件的方法，其 中所述第二电极包括银、银合金、铝或铝合金。