[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200910258845.X | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101771068A | 公开（公告）日： | 2010-07-07 |
| 发明（设计）人： | 板东晃司;三角和幸;秋山龙彦;和泉直生;山崎晓 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H01L27/22 | 分类号： | H01L27/22;H01L23/552;H01L21/50;G11C11/02;G11C11/16 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;郑菊 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
(a)制备包括管芯焊盘的引线框架以及设置于所述管芯焊盘周 围的多个引线；
(b)制备半导体芯片，所述半导体芯片具有主表面和与所述主 表面相反的后表面，所述半导体芯片在所述主表面侧上包括多个磁 存储器元件和多个键合焊盘；
(c)在所述管芯焊盘之上装配所述半导体芯片；
(d)在所述半导体芯片的主表面之上设置由坡莫合金形成的磁 屏蔽材料，使得其中形成所述磁存储器元件的区域由所述磁屏蔽材 料覆盖，所述坡莫合金是镍和铁的合金；
(e)用多个键合接线将所述引线电耦合到所述键合焊盘；并且
(f)用树脂体密封相应引线的一部分、所述键合接线、所述管 芯焊盘、所述半导体芯片和所述磁屏蔽材料；
其中所述磁屏蔽材料是通过有选择的蚀刻对板状磁屏蔽材料进 行构图来形成的磁屏蔽材料，并且
其中所述管芯焊盘的面积比所述半导体芯片的面积更小。
2.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：
(a)制备包括管芯焊盘的引线框架以及设置于所述管芯焊盘周 围的多个引线；
(b)制备半导体芯片，所述半导体芯片具有主表面和与所述主 表面相反的后表面，所述半导体芯片在所述主表面侧上包括多个磁 存储器元件和多个键合焊盘；
(c)在所述管芯焊盘之上装配所述半导体芯片；
(d)在所述半导体芯片的主表面之上设置由坡莫合金形成的磁 屏蔽材料，使得其中形成所述磁存储器元件的区域由所述磁屏蔽材 料覆盖，所述坡莫合金是镍和铁的合金；
(e)用多个键合接线将所述引线电耦合到所述键合焊盘；并且
(f)用树脂体密封相应引线的一部分、所述键合接线、所述管 芯焊盘、所述半导体芯片和所述磁屏蔽材料，
其中所述磁屏蔽材料是通过有选择的蚀刻对板状磁屏蔽材料进 行构图来形成的磁屏蔽材料；以及
其中所述蚀刻是使用蚀刻剂的湿法蚀刻。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
