[发明专利]薄膜太阳能电池及其制作方法无效
申请号: | 200910259021.4 | 申请日: | 2009-12-09 |
公开(公告)号: | CN102097500A | 公开(公告)日: | 2011-06-15 |
发明(设计)人: | 游萃蓉;杨能辉;赖政志;杨国玺 | 申请(专利权)人: | 英属开曼群岛商精曜有限公司 |
主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/028;H01L31/0376;H01L31/0368;H01L31/20 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 英属开*** | 国省代码: | 开曼群岛;KY |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄膜 太阳能电池 及其 制作方法 | ||
1.一种薄膜太阳能电池,其特征在于包括:
一基板;
一第一导电层,配置于该基板上;
一第一型半导体层,配置于该导电层上;
一混合式半导体层,具有一非晶硅层及一结晶硅层,该非晶硅层具有一第一能隙,该结晶硅层具有一第二能隙,其中该第一能隙大于该第二能隙;
一第二型半导体层,其中该混合式半导体层位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间;以及
一第二导电层,配置于该第二型半导体层上。
2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,该结晶硅层的材质为多晶硅或单晶硅。
3.如权利要求2所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,该结晶硅层的材质为多晶硅时,该结晶硅层为一柱状结构。
4.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,当该第一型半导体层为一N型半导体层,而该第二型半导体层为一P型半导体层时,该结晶硅层位于该非晶硅层与该N型半导体层之间,或位于该非晶硅层与该P型半导体层之间。
5.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,当该第一型半导体层为一P型半导体层,而该第二型半导体层为一N型半导体层时,该结晶硅层位于该非晶硅层与该N型半导体层之间,或位于该非晶硅层与该P型半导体层之间。
6.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,该第一导电层为透明导电层,其材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化锌、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉铟氧化物、镉锌氧化物、镓锌氧化物及锡氟氧化物等至少其一,而该第二导电层包含反射层与透明导电层至少其一。
7.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,该第二导电层为透明导电层,其材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化锌、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉铟氧化物、镉锌氧化物、镓锌氧化物及锡氟氧化物等至少其一,而该第一导电层包含反射层与透明导电层至少其一。
8.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,该第一导电层与该第二导电层至少其一的表面为凹凸结构。
9.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,该非晶硅层的厚度大于0μm小于等于0.3μm,该结晶硅层的厚度约介于1μm至3μm之间。
10.一种薄膜太阳能电池的制作方法,包括:
提供一基板;
形成一第一导电层于该基板上;
形成一第一型半导体层于该第一导电层上;
形成一混合式半导体层于该第一型半导体层上,其中该混合式半导体层具有一非晶硅层及一结晶硅层;
形成一第二型半导体层于该混合式半导体层上;以及
形成一第二导电层于该第二型半导体层上。
11.如权利要求10所述的薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于,当该第一型半导体层为一N型半导体层,而该第二型半导体层为P型半导体层时,形成该混合式半导体层的方法包括:
形成该结晶硅层于该N型半导体层上;以及
形成该非晶硅层于该结晶硅层上。
12.如权利要求11所述的薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于,形成该结晶硅层的膜层结构为一柱状结构。
13.如权利要求10所述的薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于,当该第一型半导体层为一N型半导体层,而该第二型半导体层为P型半导体层时,形成该混合式半导体层的方法包括:
形成该非晶硅层于该N型半导体层上;以及
形成该结晶硅层于该非晶硅层上。
14.如权利要求13所述的薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于,形成该结晶硅层的膜层结构为一柱状结构。
15.如权利要求13所述的薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于,形成该结晶硅层于该非晶硅层之前,更包括于该非晶硅层的表面上进行一等离子体处理过程。
16.如权利要求10所述的薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于,当该第一型半导体层为一P型半导体层,而该第二型半导体层为N型半导体层时,形成该混合式半导体层的方法包括:
形成该非晶硅层于该P型半导体层上;以及
形成该结晶硅层于该非晶硅层上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的