[发明专利]薄膜太阳能电池及其制作方法无效

专利信息
申请号: 200910259021.4 申请日: 2009-12-09
公开(公告)号: CN102097500A 公开(公告)日: 2011-06-15
发明(设计)人: 游萃蓉;杨能辉;赖政志;杨国玺 申请(专利权)人: 英属开曼群岛商精曜有限公司
主分类号: H01L31/042 分类号: H01L31/042;H01L31/028;H01L31/0376;H01L31/0368;H01L31/20
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 周国城
地址: 英属开*** 国省代码: 开曼群岛;KY
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 薄膜 太阳能电池 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种薄膜太阳能电池,其特征在于包括:

一基板;

一第一导电层,配置于该基板上;

一第一型半导体层,配置于该导电层上;

一混合式半导体层,具有一非晶硅层及一结晶硅层,该非晶硅层具有一第一能隙,该结晶硅层具有一第二能隙,其中该第一能隙大于该第二能隙;

一第二型半导体层,其中该混合式半导体层位于该第一型半导体层与该第二型半导体层之间;以及

一第二导电层,配置于该第二型半导体层上。

2.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,该结晶硅层的材质为多晶硅或单晶硅。

3.如权利要求2所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,该结晶硅层的材质为多晶硅时,该结晶硅层为一柱状结构。

4.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,当该第一型半导体层为一N型半导体层,而该第二型半导体层为一P型半导体层时,该结晶硅层位于该非晶硅层与该N型半导体层之间,或位于该非晶硅层与该P型半导体层之间。

5.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,当该第一型半导体层为一P型半导体层,而该第二型半导体层为一N型半导体层时,该结晶硅层位于该非晶硅层与该N型半导体层之间,或位于该非晶硅层与该P型半导体层之间。

6.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,该第一导电层为透明导电层,其材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化锌、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉铟氧化物、镉锌氧化物、镓锌氧化物及锡氟氧化物等至少其一,而该第二导电层包含反射层与透明导电层至少其一。

7.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,该第二导电层为透明导电层,其材质包括铟锡氧化物、铟锌氧化物、铟锡锌氧化物、氧化锌、铝锡氧化物、铝锌氧化物、镉铟氧化物、镉锌氧化物、镓锌氧化物及锡氟氧化物等至少其一,而该第一导电层包含反射层与透明导电层至少其一。

8.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,该第一导电层与该第二导电层至少其一的表面为凹凸结构。

9.如权利要求1所述的薄膜太阳能电池,其特征在于,该非晶硅层的厚度大于0μm小于等于0.3μm,该结晶硅层的厚度约介于1μm至3μm之间。

10.一种薄膜太阳能电池的制作方法,包括:

提供一基板;

形成一第一导电层于该基板上;

形成一第一型半导体层于该第一导电层上;

形成一混合式半导体层于该第一型半导体层上,其中该混合式半导体层具有一非晶硅层及一结晶硅层;

形成一第二型半导体层于该混合式半导体层上;以及

形成一第二导电层于该第二型半导体层上。

11.如权利要求10所述的薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于,当该第一型半导体层为一N型半导体层,而该第二型半导体层为P型半导体层时,形成该混合式半导体层的方法包括:

形成该结晶硅层于该N型半导体层上;以及

形成该非晶硅层于该结晶硅层上。

12.如权利要求11所述的薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于,形成该结晶硅层的膜层结构为一柱状结构。

13.如权利要求10所述的薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于,当该第一型半导体层为一N型半导体层,而该第二型半导体层为P型半导体层时,形成该混合式半导体层的方法包括:

形成该非晶硅层于该N型半导体层上;以及

形成该结晶硅层于该非晶硅层上。

14.如权利要求13所述的薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于,形成该结晶硅层的膜层结构为一柱状结构。

15.如权利要求13所述的薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于,形成该结晶硅层于该非晶硅层之前,更包括于该非晶硅层的表面上进行一等离子体处理过程。

16.如权利要求10所述的薄膜太阳能电池的制作方法,其特征在于,当该第一型半导体层为一P型半导体层,而该第二型半导体层为N型半导体层时,形成该混合式半导体层的方法包括:

形成该非晶硅层于该P型半导体层上;以及

形成该结晶硅层于该非晶硅层上。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英属开曼群岛商精曜有限公司,未经英属开曼群岛商精曜有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910259021.4/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top