[发明专利]一种电离规的抽速和出气率的测量装置及方法有效

专利信息
申请号: 200910259343.9 申请日: 2009-12-17
公开(公告)号: CN101710014A 公开(公告)日: 2010-05-19
发明(设计)人: 成永军;李得天;冯焱;郭美如 申请(专利权)人: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
主分类号: G01L27/00 分类号: G01L27/00
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 张利萍
地址: 730000*** 国省代码: 甘肃;62
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 电离 出气 测量 装置 方法
【说明书】:

技术领域

发明的一种电离规的抽速和出气率的测量装置及方法,特别是采用气体微流量技术实现电离规的抽速和出气率测量的装置及方法,属于测量技术领域。

背景技术

当电离规的抽气效应引起规管内压力与真空室中压力不同时,就得到错误的压力测量结果,在超高/极高真空条件下这种影响更为明显。所有的电离规都表现的像低抽速真空泵一般在10-5~10-4m3/s之间,因此要想得到准确的测量结果,就必须对电离规的抽速进行测量。文献“J.H.Singleton.Practical guide to theuse Bayard-Alpert ionization gauges.J.Vac.Sci.Technol.A 19(4),2001.”介绍了一种电离规的抽速的估算方法。该文献中指出,电离规的抽速可通过式(1)进行估算:

p/pg=Sg/S+1..................(1)

式中,p为系统压力;pg为规管内压力;Sg为电离规抽速;S为系统的有效抽速。

这种方法的不足之处就是无法精确计算电离规的抽速。当电离规的出气效应引起规管内压力与真空室中压力不同时,就得到错误的压力测量结果。热阴极电离规的出气效应在超高/极高真空条件下是一个很大的误差源,冷阴极电离规由于内部没有任何热源,出气率相对较低,因此要想得到准确的测量结果,就必须对电离规特别是热阴极电离规的出气率进行测量。文献“B.R.F.Kendall.Ionization gauge errors at low pressures.J.Vac.Sci.Technol.A 17(4),1999.”介绍了一种电离规的相对出气率的测量方法。该文献中指出,将不同的电离规安装在十字形或T形接头相邻的臂上,交替的关闭一个电离规,然后观察另一个电离规的读数变化,可在低压力下测量电离规的相对出气率。

这种方法的不足之处就是只能粗略估算电离规的相对出气率,无法精确计算电离规的绝对出气率即出气率。

发明内容

本发明的目的是为了克服现有估算方法的不足之处,提供一种电离规的抽速和出气率的测量装置及方法,特别是采用气体微流量技术实现电离规的抽速和出气率的测量装置及方法,使得电离规抽速和出气率能够精确计算。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的。

本发明的一种电离规的抽速和出气率的测量装置,它由流量计、可变流导阀、被测电离规、参考规、上真空室、限流小孔、下真空室和抽气机组组成;其连接关系为:流量计与上真空室通过可变流导阀连接;上真空室和下真空室连在一起,中间通过限流小孔隔开;被测电离规和参考规直接连接在上真空室上,抽气机组与下真空室相连并从中抽出气体。

其中,流量计为固定流导法气体微流量计,提供流量的范围为1×10-9~1×10-5Pa.m3/s,被测电离规为热阴极型或为冷阴极型,抽气机组为涡轮分子泵抽气机组。

本发明的一种电离规的抽速和出气率的测量方法,其具体实施步骤为:

1)启动抽气机组,对上真空室和下真空室抽气;

2)启动流量计抽气机组,对流量计所有真空管道抽气;

3)对测量装置进行整体烘烤除气,烘烤温度以匀速率逐渐升至最高点后,保持60~80h,然后再以匀速率逐渐降至室温;

4)继续抽气24~48h,直至上真空室内达到10-8Pa数量级的极限真空;

5)给流量计充入一定压力的气体,调节可变流导阀使其提供已知流量Q1的气体至上真空室;

6)关闭被测电离规,记录参考规在被测电离规开、关前后的读数差dp1

7)打开被测电离规;

8)给流量计充入一定压力的气体,调节可变流导阀使其提供已知流量Q2的气体至上真空室;

9)关闭被测电离规,记录参考规在被测电离规开、关前后的读数差dp2

10)被测电离规的抽速由公式(2)计算

dS=S2×(dp1-dp2)/(Q2-Q1)...................(2)

式中:dS-被测电离规的抽速,m3/s;

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所,未经中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200910259343.9/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top