[发明专利]一种复合原子氧防护涂层SiOx/PTFE的制备方法无效

专利信息
申请号: 200910259347.7 申请日: 2009-12-17
公开(公告)号: CN101724823A 公开(公告)日: 2010-06-09
发明(设计)人: 李中华;郑阔海;赵琳 申请(专利权)人: 中国航天科技集团公司第五研究院第五一○研究所
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/06
代理公司: 北京理工大学专利中心 11120 代理人: 张利萍
地址: 730000*** 国省代码: 甘肃;62
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摘要:
搜索关键词: 一种 复合 原子 防护 涂层 sio sub ptfe 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种复合原子氧防护涂层SiOx/PTFE的制备方法,其特征在于:

(1)制备圆形的SiO2靶;

(2)制备与SiO2靶同直径、扇形的PTFE片状材料;

(3)用导电胶将PTFE片状材料均匀粘贴在SiO2靶上;

(4)将(3)制备的SiO2/PTFE复合靶安装在磁控溅射设备的靶座上,磁控溅射设备抽真空至2×10-3Pa,然后通入Ar气,开启磁控溅射靶电源,靶面产生辉光放电,Ar离子流对SiO2/PTFE靶进行轰击,从靶面溅射出SiOx和PTFE,沉积在涂层基底上,得到SiOx/PTFE复合原子氧防护涂层。

2.根据权利要求1所述的一种复合原子氧防护涂层SiOx/PTFE的制备方法,其特征在于:步骤(1)中SiO2的纯度为99.9%。

3.根据权利要求1所述的一种复合原子氧防护涂层SiOx/PTFE的制备方法,其特征在于:步骤(2)中PTFE的片数为2~4片,扇形角为10°。

4.根据权利要求1所述的一种复合原子氧防护涂层SiOx/PTFE的制备方法,其特征在于:步骤(4)中磁控溅射的沉积放电功率为100~120W,放电气压为4×10-1~5×10-1Pa,溅射时间为60~80min。

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