[发明专利]一种PN结嵌入玻璃钝化器件的结构设计

权利要求书

1.一种具有PN结嵌入玻璃钝化半导体器件的结构设计和制造方法，如图2在硅衬底1上液态源或乳胶源或纸源进行大面积与衬底异型的杂质扩散。在一定温度下形成5-30um的结深2，然后通过光刻胶或者氧化层掩蔽，用硅腐蚀液腐蚀15-35um的台面3，再通过1150℃-1300℃高温扩散，根据器件要求结深20-80um不等4。最后进行台面清洗，玻璃钝化以及镀金属层，划片后即形成独立的器件。

2.根据权利要求1，先扩散5-30um的结深2，不直接扩散到最终结深。

3.根据权利要求1，通过光刻胶或者氧化层掩蔽，用硅腐蚀液腐蚀15-35um的台面3。

4.根据权利要求1，15-35um的区域等同于扩散源，在下一步进行再扩散。

5.根据权利要求1，通过1150℃-1300℃高温再扩散，根据器件要求结深20-80um不等。

6.根据权利要求1所述的制造工艺，该结构可同时进行双面扩散，光刻，腐蚀，形成双向器件如图3

7.根据权利1所述的制造方法，高温扩散后去除氧化层对台面进行玻璃钝化。

8.根据权利1所述的制造方法，其PN结形成后，一部分内藏在玻璃钝化区域下。