[发明专利]一种应用于垂直温度梯度法或垂直布里奇曼法生长砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统无效
| 申请号： | 200910260042.8 | 申请日： | 2009-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN102108541A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 屠海令;苏小平;张峰燚;王思爱;杨海;王铁艳;黎建明 | 申请（专利权）人： | 北京有色金属研究总院;北京国晶辉红外光学科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B11/00 | 分类号： | C30B11/00;C30B29/42;C30B35/00 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 郭佩兰 |
| 地址： | 100088*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 应用于 垂直 温度梯度 布里奇曼法 生长 砷化镓单晶 原料 腐蚀 设备 系统 | ||
【权利要求书】：
1.一种应用于垂直温度梯度法或垂直布里奇曼法生长砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统，其特征在于：它包括：纯水洗涤用槽及电阻加热设备；带排风系统的工作台；腐蚀原料盒，盒内置有固定装置，固定装置上置有原料移动手柄；以及烘干炉，所述的固定装置为网栅式，网栅内置待腐蚀GaAs原料。
2.根据权利要求1所述的一种砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统，其特征在于：所述的固定装置上置有联接柱，它与原料移动手柄的插孔连接。
3.根据权利要求1或2所述的一种砷化镓单晶生长的原料腐蚀设备系统，其特征在于：所述的腐蚀原料盒、原料固定装置和原料移动手柄均由聚丙烯材料制作而成。
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