[发明专利]半导体器件及其制造方法

说明书

本申请要求于2008年12月24日提交的韩国专利申请第10-2008-0132821号的优先权，其全部内容结合于此作为参考。

技术领域

本发明涉及半导体器件，更具体地，涉及一种高压半导体器件。

背景技术

用在用于驱动平板显示器(例如LCD(液晶显示器)、PDP(等离子体显示面板)、OLED(有机发光二极管，organic light-emittingdiode))的LSI(large-scale integration，大规模集成)，用于汽车的LSI，用于OA(办公自动化，office automation)和外围电路的LSI以及电动机驱动LSI的电路具有集成在一个芯片中的高压器件和低压逻辑器件。

每种具有集成在一个芯片内的高压器件和低压逻辑器件的PMIC(电源管理集成电路，Power Management Integrated Circuit)产品日益发展，其应用领域不断扩大。

通常，为了形成高压器件，执行阱形成步骤并且在形成逻辑器件之前形成高压器件的扩展漏极区。或者逻辑器件的阱可以与高压器件的阱在一个器件沟道区一起使用。

然而，用于形成高压器件的步骤可导致整个制造步骤的增加，这就增加了制造成本。逻辑器件的阱与高压器件的阱在一个器件沟道区一起使用会导致器件阈值电压不稳。此外，高压器件和低压逻辑器件在一个芯片的集成可能使得器件小型化受到限制。

发明内容

因此，本发明针对一种高压半导体器件及其制造方法。

本发明的一个目的在于提供一种高电压半导体器件及其制造方法，在该方法中通过仅对逻辑器件的漏极区增加一个制造步骤局部地形成了低浓度阱区和低浓度扩展漏极区，以向其提供局部低浓度型阱。

本公开的其他优点、目的和特征一部分将在下文中阐述，一部分对于本领域的普通技术人员而言通过下文的实验将变得显而易见或者可以从本发明的实践中获得。通过所写的说明书及其权利要求以及附图中特别指出的结构，可以了解和获知本发明的这些目的和其他优点。

为了实现这些目的和其他优点以及根据本发明的目的，如在本文中所体现和概括描述的，一种制造半导体器件的方法包括以下步骤：执行第一注入将第一导电型杂质注入到半导体衬底中，以形成第一导电型第一阱；执行第二注入将第二导电型杂质注入到第一导电型第一阱中，以形成第一导电型第二阱；执行第三注入将第二导电型杂质注入到第一导电型第二阱中，以形成第二导电型杂质区；在半导体衬底上形成栅极；以及执行第四注入来注入第二导电型杂质以在栅极的一侧上的第二导电型杂质区中形成漏极区。

在本发明的另一方面中，一种半导体器件包括：第一导电型第一阱，形成在半导体衬底中，具有第一杂质浓度；第一导电型第二阱，形成在第一阱中，具有第二杂质浓度；第二导电型杂质区，形成在第二阱中，具有第三杂质浓度；栅极绝缘膜和栅电极，堆叠在半导体衬底上；以及第一导电型漏极区，形成在栅电极的一侧上的第二导电型杂质区中，具有第四杂质浓度。

可以理解的是，本发明的上述总体描述和以下的具体描述都是示例性的和说明性的，并且旨在提供对所要求的本发明的进一步解释。

附图说明

附图被包括用来提供对本发明的进一步理解，并结合于此而构成本申请的一部分。本发明的示例性实施例连同描述都用来解释本发明的原理。在附图中：

图1A～1E示出了根据本发明的优选的实施例的用于制造半导体器件的方法的步骤的截面图。

图2是示出了图1E中的半导体器件的垂直掺杂轮廓的曲线图。

图3是示出了图1E中的半导体器件的水平掺杂轮廓的曲线图。

图4是示出了每个逻辑器件和高压器件的漏极电流与电压的曲线图。

具体实施方式

现在将详细描述实施例，在附图中示出了实施例的实例。在所有可能的地方，在整个附图中使用相同的标号以表示相同或相似的部件。

图1A～1E是示出了根据本发明的优选的实施例的用于制造半导体器件的方法的步骤的截面图。

参照图1A，执行第一注入将第一导电型杂质注入到半导体衬底中，以在半导体衬底110中形成高浓度第一导电型第一阱115。半导体衬底110可以是第一导电型或第二导电型。半导体衬底110的杂质浓度可以在5E16atoms/cm²以下，而高浓度第一导电型第一阱115的杂质浓度可以是5E16～1E18atoms/cm²。