[发明专利]金属蚀刻液组合物及其蚀刻方法

权利要求书

1.一种金属蚀刻液组合物，其包括氧化剂、螯合剂、含氮化合物、无机盐以及水性介质。

2.根据权利要求1所述的金属蚀刻液组合物，其中，所述氧化剂选自由过氧化氢、过硫酸铵、过硫酸钠、过硫酸氢钠、过硫酸钾、过硫酸氢钾、及其混合物所组成群组中的一者。

3.根据权利要求1所述的金属蚀刻液组合物，其中，所述氧化剂的比例以所述金属蚀刻液组合物的总重计，占6至30重量％。

4.根据权利要求1所述的金属蚀刻液组合物，其中，所述螯合剂包括氨基酸。

5.根据权利要求4所述的金属蚀刻液组合物，其中，所述氨基酸选自由丙氨酸、谷氨酸、甘氨酸、胱氨酸、天冬酰胺、乙二胺四乙酸、乙二胺四乙酸盐、亚氨二乙酸、氨基三乙酸、氨基三乙酸衍生物、及其混合物所组成群组中的一者。

6.根据权利要求1所述的金属蚀刻液组合物，其中，所述螯合剂的比例以所述金属蚀刻液组合物的总重计，占0.1至10重量％。

7.根据权利要求1所述的金属蚀刻液组合物，其中，所述含氮化合物包括唑类化合物。

8.根据权利要求7所述的金属蚀刻液组合物，其中，所述唑类化合物选自由苯并三唑、氯化三苯基四唑、氨基四唑、咪唑、吡唑、唑、甲苯并三唑、及其混合物所组成群组中的一者。

9.根据权利要求1所述的金属蚀刻液组合物，其中，所述含氮化合物的比例以所述金属蚀刻液组合物的总重计，占0.1至5重量％。

10.根据权利要求1所述的金属蚀刻液组合物，其中，所述无机盐包括硫酸盐及磷酸盐。

11.根据权利要求10所述的金属蚀刻液组合物，其中，所述硫酸盐选自由硫酸铵、硫酸钠、硫酸钾、硫酸氢钾、及其混合物所组成群组中的一者。

12.根据权利要求10所述的金属蚀刻液组合物，其中，所述磷酸盐选自由磷酸氢二铵、磷酸二氢铵、磷酸氢二钠、磷酸二氢钠、磷酸氢二钾、磷酸二氢钾、及其混合物所组成群组中的一者。

13.根据权利要求1所述的金属蚀刻液组合物，其中，所述无机盐的比例以所述金属蚀刻液组合物的总重计，占0.2至10重量％。

14.根据权利要求10所述的金属蚀刻液组合物，其中，所述硫酸盐及所述磷酸盐类的比例以所述金属蚀刻液组合物的总重计，各占0.1至5重量％。

15.根据权利要求1所述的金属蚀刻液组合物，其中，所述水性介质为去离子水。

16.根据权利要求1所述的金属蚀刻液组合物，其中，所述金属包括铜、铜合金、钼、钼合金、铜合金/钼合金的多层合金或铜/钼的多层金属。

17.一种蚀刻金属的方法，包括：

形成金属层于基板上；

形成图案化的保护层于该金属层上；以及

使用根据权利要求1至16中任一项所述的金属蚀刻液组合物蚀刻该金属层。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述金属层包括铜、铜合金、钼、钼合金、铜合金/钼合金的多层合金或铜/钼的多层金属。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述基板包括玻璃基板、硅晶片基板、聚酰亚胺基板或环氧树脂铜箔基板。

20.一种根据权利要求1至16中任一项所述的金属蚀刻液组合物的用途，其用于制备平面显示器、彩色滤光片、触控式面板、有机发光二极管、电子纸、微机电系统、集成电路或封装。