[发明专利]一种检验晶片对准的方法

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路制造领域对晶片进行光刻的技术，特别是涉及一种检验晶片对准的方法。

背景技术

在集成电路制造领域，需要对晶片进行对准。目前常在晶片上形成平边(flat)或V型切口(notch)，用来作为晶片对准的依据。在制造过程中，第一次对晶片的曝光尤其重要。由于没有前层图形，因此光刻机在曝第一层图形时只能对准平边或V型切口。如果光刻机对准晶片的能力不好，使得晶片旋转角度过大，就对引起曝光的偏差。

现有的晶片对准过程如图1所示，对于第一层的对准，以平边或切口进行预先对准，然后对其曝光(exposure)。在具有前层图形的后续对准中，首先也采用平边或切口进行预先对准，然后搜索前层图形的对准标记(mark)，进行整片性对准(g-EGA，globa-Enhanced Global Alignment)后，曝光形成下一图形。

以目前常使用的Leica-INS3000机台为例，晶片对准时曝光形成的图形如图2A所示，而对准不良时形成的图形如图2B所示。如果采用图2B中的对准不良的晶片进行后续的制程，若再以图中的V型切口为依据对准时，则会使得后层次图形与第一层图形之间无法对准，而影响晶片的良率。

图3A为Leica-INS300机台晶片对准时曝光形成的图形，图3B为对准不良时形成的图形。Leica-INS300机台在晶片对准不良时，其曝光图形会有相应的偏移，同样也可以造成后层次图形与第一层图形之间无法对准。

因此，为了避免因晶片对准不良而对良率产生的影响，有必要通过对晶片对准的准确性进行检验。

发明内容

本发明的目的在于提供一种检验晶片对准的方法，该方法能够简单而且精确地检验晶片对准的程度。

本发明检验晶片对准的方法，其特征在于包括：

步骤1：以对准正常的晶片为标准，在机台中存储该晶片的图形信息，在该晶片上选取一个或多个检验点并在机台内建立程序；

步骤2：根据在目镜中观察到的被测晶片在检验点的图形，确定被测晶片的对准程度。

作为上述技术方案的优选，所述检验点包括有第一检验点和第二检验点。

作为上述技术方案的优选，所述第一检验点设置在晶片十点钟方向，所述第二检验点设置在晶片两点钟方向。

作为上述技术方案的优选，所述检验点为十字型。

作为上述技术方案的优选，所述确定晶片的对准程度具体为：在目镜下观察十字型，若两个检验点都能观察到十字型的一半以上，则为对准晶片；若有至少一个检验点观察不到十字型的一半以上，则为对准不良晶片。

作为上述技术方案的优选，所述目镜的观察倍率为500倍。

作为上述技术方案的优选，所述机台为Leica-INS300机台。

本发明以对准正常的晶片为标准，通过选择几个检验点的方式，能够简单而准备地确定被测晶片的对准情况。因而能在实际生产过程中提高晶片对准不良的早期判断能力，为后续工艺提供了有利的基础。

附图说明

图1是现有技术中对准晶片的流程图；

图2A和图2B分别是在Leica-INS3000机台中对准正常和对准不良的晶片图；

图3A和图3B分别是在Leica-INS300机台中对准正常和对准不良的晶片图；

图4是本发明一优选实施例检验点设定位置图；

图5A和图5B是序号9的对准不良晶片的目镜观察示意图；

图6A和图6B是序号10的对准不良晶片的目镜观察示意图；

图7A和图7B是序号A的对准正常晶片的目镜观察示意图；

图8A和图8B是序号B的对准正常晶片的目镜观察示意图。

具体实施方式

下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。对于所属技术领域的技术人员而言，从对本发明的详细说明中，本发明的上述和其他目的、特征和优点将显而易见。

本发明优选实施例检验晶片对准的方法，首先找出对准正常的晶片，将该晶片的图形信息存储起来，即将原来的PRODUCT-ADI-ALL程序另存为PRODUCT-ADI-FIRST。同时在晶片中选取一个或多个检验点。作为优选，本实施例的第一检验点1选取在晶片十点钟方向，在该方向选取一个完整的区域设点(Shot)，第二检验点2选取与第一检验点1平行方向相对应的位置，即在晶片两点钟方向，如图4所示。本领域技术人员还可以根据应用的需要，任意选取其它可能的检验点，本发明并不受限于此。