[发明专利]具有光学波导和近场换能器的热辅助记录头有效

专利信息
申请号: 200910261888.3 申请日: 2009-12-31
公开(公告)号: CN101777353A 公开(公告)日: 2010-07-14
发明(设计)人: 巴里·C·斯蒂普 申请(专利权)人: 日立环球储存科技荷兰有限公司
主分类号: G11B5/127 分类号: G11B5/127;G11B5/31
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 11105 代理人: 张波
地址: 荷兰阿*** 国省代码: 荷兰;NL
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摘要:
搜索关键词: 具有 光学 波导 近场 换能器 辅助 记录
【权利要求书】:

1.一种热辅助记录头,包括:

近场换能器,包括导电金属膜,所述导电金属膜具有带前和后边缘的主 体以及从该主体的前边缘延伸的脊和翼;以及

光学波导,用于照射所述近场换能器,

其中该脊和该主体的后边缘之间的距离在60和240nm之间。

2.如权利要求1所述的热辅助记录头,其中所述距离在80和160nm之 间。

3.如权利要求1所述的热辅助记录头,其中所述导电金属膜具有形成在 其中的字母“C”形状的孔。

4.如权利要求1所述的热辅助记录头,其中所述导电金属膜具有字母 “E”形。

5.如权利要求1所述的热辅助记录头,其中所述后边缘与所述光学波导 的芯层基本对准。

6.如权利要求1所述的热辅助记录头,其中所述光学波导包括芯层,其 中所述芯层的中心与所述脊基本对准。

7.一种热辅助记录头,包括:

近场换能器,包括导电金属膜,所述导电金属膜具有带前和后边缘的主 体以及从该主体的前边缘延伸的脊和翼;以及

光学波导,用于照射所述近场换能器,

其中该脊和该主体的后边缘之间的距离是被照射时所述近场换能器上 的表面等离子体激元的波长的25%和75%之间。

8.如权利要求7所述的热辅助记录头,其中所述距离是被照射时所述近 场换能器上的表面等离子体激元的波长的45%和55%之间。

9.如权利要求7所述的热辅助记录头,其中所述导电金属膜具有形成在 其中的字母“C”形状的孔。

10.如权利要求7所述的热辅助记录头,其中所述导电金属膜具有字母 “E”形。

11.如权利要求7所述的热辅助记录头,其中所述后边缘与所述光学波 导的芯层基本对准。

12.如权利要求7所述的热辅助记录头,其中所述光学波导包括芯层, 其中所述芯层的中心基本对准所述脊。

13.一种热辅助记录头,包括:

近场换能器,包括导电金属膜,所述导电金属膜具有带前和后边缘的主 体以及从该主体的前边缘延伸的脊和翼;以及

光学波导,用于照射所述近场换能器,

其中所述后边缘与所述光学波导的芯层基本对准。

14.如权利要求13所述的热辅助记录头,其中该脊和该主体的后边缘之 间的距离是被照射时所述近场换能器上的表面等离子体激元的波长的45% 和55%之间。

15.如权利要求13所述的热辅助记录头,其中所述距离为80和160nm 之间。

16.如权利要求13所述的热辅助记录头,其中所述导电金属膜具有形成 在其中的字母“C”形状的孔。

17.如权利要求13所述的热辅助记录头,其中所述导电金属膜具有字母 “E”形。

18.如权利要求13所述的热辅助记录头,其中所述光学波导包括芯层, 其中所述芯层的中心基本对准所述脊。

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