[发明专利]倒装芯片式发光二极管模块的制造方法

权利要求书

1.一种倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其实施步骤为包括有：

A)发光二极管所具的晶片基板上依序成长有N型半导体层、发光层及P型半导体层以构成外延层；

B)将晶片切割成多个单颗发光晶粒；

C)挑选出适用的发光晶粒；

D)将UV胶涂布于胶膜一侧表面上形成有涂布层，并将各发光晶粒透过UV胶粘贴于胶膜上成为一体；

E)利用UV曝光机产生的UV光照射于胶膜上的涂布层进行曝光，通过UV胶光固化后降低发光晶粒粘贴于胶膜上的粘度；

F)再利用分离装置所具的顶针推顶于胶膜另侧表面上，而使各发光晶粒与胶膜逐一分离。

2.如权利要求1所述的倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其特征在于，该步骤A)外延层于P型半导体层表面上成长有透光导电层，且透光导电层部分表面上分别成长有N型电极衬垫、P型电极衬垫。

3.如权利要求2所述的倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其特征在于，该步骤A)外延层经由曝光、显影及金属剥离技术成长有N型电极衬垫、P型电极衬垫。

4.如权利要求1所述的倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其特征在于，该步骤A)基板厚度为80～90μm、外延层厚度则为5～10μm。

5.如权利要求1所述的倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其特征在于，该步骤A)基板为透光蓝宝石、碳化硅、氧化锌、氧化镁、氧化镓、氮化铝、氧化锂镓、氧化锂铝或尖晶石基板。

6.如权利要求1所述的倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其特征在于，该步骤A)基板上成长的N型半导体层及P型半导体层分别为钛、金；钛、铝；铬、金或铬、铝其中之一或其组合而成。

7.如权利要求1所述的倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其特征在于，该步骤D)UV胶涂布于胶膜上的方式可利用网版印刷、滚筒式、喷涂式等加工涂布方式。

8.如权利要求1所述的倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其特征在于，该步骤D)UV胶为紫外线光固化胶树脂或紫外线光固化聚合物。

9.如权利要求1所述的倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其特征在于，该步骤E)UV曝光机产生的UV光波长范围为400～430nm之间。

10.如权利要求1所述的倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其特征在于，该步骤F)分离装置所具的顶针为不同型态的圆头或尖头。

11.如权利要求1所述的倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其特征在于，该步骤F)发光晶粒可利用输送装置所具的真空吸嘴或吸盘来吸附后进行输送。

12.如权利要求1所述的倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其特征在于，该步骤F)发光晶粒与胶膜分离后可透过导电胶体或焊料为与预设电路基板相连接，且预设电路基板为单面或双面设有电路布局，以供发光晶粒串联或并联方式电性连接于预设电路基板单面或双面上。

13.如权利要求12所述的倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其特征在于，该发光晶粒完成固晶、粘着预设电路基板上后，再进行发光晶粒的荧光粉胶体涂布、烘烤程序而成型出倒装芯片式发光二极管模块。

14.如权利要求13所述的倒装芯片式发光二极管模块的制造方法，其特征在于，该发光二极管模块与外部灯具封装结合成为一体。