[发明专利]形成导电层的方法及半导体器件

权利要求书

1.一种在贯通基板的通孔的内部形成导电层的方法，包括：

形成贯通基板的通孔的步骤；

第一电镀步骤，在所述通孔的开口部分中形成第一电镀层；

电镀抑制层形成步骤，在所述第一电镀步骤之后在所述通孔的所 述开口部分中的所述第一电镀层上形成电导率小于所述第一电镀层的 电导率的电镀抑制层；以及

第二电镀步骤，在所述电镀抑制层形成步骤之后通过电镀而在所 述通孔的内部形成与所述第一电镀层电连接的第二电镀层。

2.根据权利要求1所述的形成导电层的方法，其中，所述第一电 镀层和所述第二电镀层包含相同的材料。

3.一种半导体器件，所述半导体器件具有在贯通基板的通孔的内 部形成的导电层，所述半导体器件包括：

在所述通孔的开口部分中形成的第一电镀层；

在所述通孔的所述开口部分中的所述第一电镀层上形成的电镀抑 制层；以及

在所述通孔的内部形成的且与第一电镀层电连接的第二电镀层。

4.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述第一电镀层和 所述第二电镀层包含相同的材料。

5.根据权利要求3所述的半导体器件，其中，所述电镀抑制层的 电导率小于所述第一电镀层的电导率。