[发明专利]电容式触控面板及其制造方法以及液晶显示装置

权利要求书

1.一种电容式触控面板，该电容式触控面板具有下述结构，在透明基板上至少层压了透明导电膜和电介质层，且在该基板的框缘部至少配置由位置检测用布线部以及位置检测用电极构成的位置检测用部件，其特征在于，上述透明导电膜由氧化物构成，该氧化物以氧化铟为主要成分并含有镓和锡。

2.权利要求1所述的电容式触控面板，其特征在于，上述透明导电膜的镓含量以Ga/(In+Ga+Sn)的原子数比计为0.03～0.10，且锡含量以Sn/(In+Ga+Sn)的原子数比计为0.05～0.12。

3.权利要求1或2所述的电容式触控面板，其特征在于，上述透明导电膜的镓含量以Ga/(In+Ga+Sn)的原子数比计为0.05～0.08，且锡含量以Sn/(In+Ga+Sn)的原子数比计为0.07～0.10。

4.权利要求1所述的电容式触控面板，其特征在于上述透明导电膜的表面电阻为700～2000Ω/□的范围。

5.一种电容式触控面板的制造方法，该电容式触控面板具有下述结构，在透明基板上至少层压了透明导电膜和电介质层，且在该基板的框缘部至少配置由位置检测用布线部以及位置检测用电极构成的位置检测用部件，其特征在于，在上述透明基板上形成由以氧化铟为主要成分并含有镓和锡的氧化物构成的非晶质透明导电膜后，在位置检测用部件的形成工序之前，在有氧气存在的环境下或者在大气中，在以结晶化温度为下限、以比结晶化温度高100℃的温度为上限的温度范围内，对该透明导电膜进行热处理。

6.权利要求5所述的电容式触控面板的制造方法，其特征在于上述非晶质透明导电膜是在150℃以下的透明基板上形成的。

7.一种电容式触控面板的制造方法，该电容式触控面板具有下述结构，在透明基板上至少层压了透明导电膜和电介质层，且在该基板的框缘部至少配置由位置检测用布线部和位置检测用电极构成的位置检测用部件，其特征在于，在位置检测用部件的形成工序中，在有氧气存在的环境下或者在大气中，在以该透明导电膜结晶化温度为下限、550℃为上限的温度范围内，对上述非晶质或者晶质的透明导电膜进行热处理。

8.权利要求5或7所述的电容式触控面板的制造方法，其特征在于上述透明导电膜的镓含量以Ga/(In+Ga+Sn)的原子数比计为0.03～0.10，且锡含量以Sn/(In+Ga+Sn)的原子数比计为0.05～0.12。

9.权利要求5或7所述的电容式触控面板的制造方法，其特征在于上述透明导电膜的镓含量以Ga/(In+Ga+Sn)的原子数比计为0.05～0.08，且锡含量以Sn/(In+Ga+Sn)的原子数比计为0.07～0.10。

10.一种液晶显示装置，该液晶显示装置是以上述电介质层作为外面的方式，将权利要求1～4任一项所述的电容式触控面板在液晶显示装置主体的画面上装载而构成的。