[发明专利]有机发光二极管显示器有效
申请号: | 200910263622.2 | 申请日: | 2009-12-23 |
公开(公告)号: | CN101764145A | 公开(公告)日: | 2010-06-30 |
发明(设计)人: | 朴顺龙;郑又硕;田熙喆;金恩雅;丁喜星;郭鲁敏;郑哲宇;李柱华 | 申请(专利权)人: | 三星移动显示器株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L23/28;G09F9/30;G09G3/30 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 韩明星;刘奕晴 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光二极管 显示器 | ||
技术领域
本发明涉及一种有机发光二极管(OLED)显示器。更具体地讲,本发 明涉及这样一种OLED显示器,该OLED显示器通过使外部光的反射最小化 而具有提高的室外可见度(visibility)。
背景技术
在有机发光二极管(OLED)显示器中,显示品质通常受外部光影响。 即,当外部光传播到OLED显示器时,在形成有机发射元件和薄膜晶体管的 层中发生外部光的反射。例如,用作电极的金属层具有高反射率,从而金属 层反射大部分外部光。反射的外部光与从有机发射层发射的光混合,使得屏 幕的可见度降低。
为了解决上述问题,在当前的OLED显示器中,在外部光透射的一侧设 置线偏振膜和λ/4相位延迟膜。在这种结构中,当外部光穿过线偏振膜和λ/4 相位延迟膜,然后被内部层反射时,偏振轴被改变90度,因此,由于外部光 不能穿过线偏振膜,所以外部光被吸收。通过这样的原理,可抑制外部光的 反射,从而提高可见度。
然而,在上述结构中,从有机发射层发射的光(非偏振光)中的一半光 被阻挡,因为这些光不能穿过线偏振膜。这样的光损失降低了OLED显示器 的效率(亮度/功耗)。
在本背景技术部分中所公开的上述信息仅用于增强对本发明背景的理 解,因此其可包含不形成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
因此,本发明的一个目的在于提供一种改进的有机发光二极管(OLED) 显示器。
本发明的另一目的在于提供这样一种有机发光二极管(OLED)显示器, 该OLED显示器的优点在于:在保持高效率的同时,通过使外部光的反射最 小化而提高可见度。
可通过本发明原理的实践,用一种OLED显示器来实现这些和其它目的, 该OLED显示器具有形成有OLED的基底以及在覆盖OLED的同时被固定到 所述基底的封装件。所述封装件包括光致变色材料,使得所述封装件通过外 部光而着色。
所述基底可以是半导体基底,所述封装件可以是封装基底。所述封装基 底可由玻璃形成。所述OLED显示器还可包括:光电传感器,设置在半导体 基底与封装基底的重叠区域中。
所述封装件可以是薄膜封装层,所述薄膜封装层包括交替叠置的多个无 机层和多个有机层。所述多个无机层和所述多个有机层中距离所述基底最远 的层可包括光致变色材料。所述OLED显示器还可包括:光电传感器,设置 在薄膜封装层和所述基底之间。
所述光致变色材料可包括从卤化银、卤化锌、卤化镉、卤化铜和卤化镁 的组中选择的一种材料。
所述光致变色材料包括从螺吡喃(spiropyrane)、螺吩噁嗪染料 (spironaphthoxazine dye)、二芳基乙烯衍生物(diarylethene derivative)、脱 氢吡啶(dehydropyridine)、呋喃基俘精酸酐衍生物(furylfulgide derivative) 和偶氮苯衍生物(azobenzene derivative)的组中选择的一种材料。
附图说明
通过参考下面结合附图的详细描述,本发明及其许多附加优点的更全面 的理解将更容易理解,从而将变得明显,在附图中,相同的标号表示相同或 相似的部件,其中:
图1是根据本发明原理构造为第一示例性实施例的有机发光二极管 (OLED)显示器的斜视图;
图2是根据本发明原理构造为第一示例性实施例的OLED显示器的剖视 图;
图3示出图1的面板组件的子像素电路;
图4和图5是图1的面板组件的局部剖视图;
图6是根据本发明原理构造为第二示例性实施例的OLED显示器的斜视 图;
图7是根据本发明的第二示例性实施例的OLED显示器的框图;
图8是根据本发明原理构造为第三示例性实施例的OLED显示器的局部 放大剖视图;
图9是根据本发明原理构造为第四示例性实施例的OLED显示器的剖视 图。
具体实施方式
以下,将参照附图更充分地描述本发明,附图中示出了本发明的示例性 实施例。
本领域技术人员将理解的是,可以以各种不同的方式对所描述的实施例 进行修改,所有这些均不脱离本发明的精神或范围。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的