[发明专利]Gd3-xBixSbO7、Gd3-xYxSbO7和In2BiTaO7光催化剂、制备及应用有效
| 申请号： | 200910264191.1 | 申请日： | 2009-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN101797500A | 公开（公告）日： | 2010-08-11 |
| 发明（设计）人： | 栾景飞;马坤;李咏梅;潘丙才 | 申请（专利权）人： | 南京大学 |
| 主分类号： | B01J23/18 | 分类号： | B01J23/18;B01J23/20;B01J37/08;C02F1/30;C02F1/32;C01B3/04;C02F101/30;C02F101/38;C02F101/36 |
| 代理公司： | 南京天翼专利代理有限责任公司 32112 | 代理人： | 陈建和 |
| 地址： | 210093 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | gd sub bi sbo in bitao 光催化剂 制备 应用 | ||
1.纳米粉末催化材料Gd3-xBixSbO70.5≤x≤1的制备方法，其特征是采用高温固相烧结的方法，以纯度为99.99％的Gd2O3、Bi2O3和Sb2O5为原材料，将Gd、Bi、Sb以所述分子式的原子比的Gd2O3、Bi2O3和Sb2O5充分混合，然后在球磨机中研磨，粉末的粒径达到0.5-2微米，在200±40℃烘干4±1小时，压制成片，放入高温烧结炉中烧制；将炉温升至720±20℃，保温8±2小时后随炉冷却，将粉末压片取出粉碎至粒径为0.4-1.6微米，再将这些粉末压制成片，放入高温烧结炉中烧结，最高炉温为750±20℃，保温6±1小时后随炉冷却，将粉末压片取出粉碎至粒径为0.3-1.4微米，再将这些粉末压制成片，第二次放入高温烧结炉中烧结，升温条件如下：
a.由20℃升温至400℃，升温时间为40±10min；b.在400℃保温40±10min；c.由400℃升温至750℃，升温时间为40±10min；d.在750℃保温480-800min；e.由750℃升温至1040±50℃，升温时间为30±10min；f.在1040±50℃保温1800±400min，炉冷；
第二次烧结时粉末压片经最高温度1040±50℃保温1800±400min后随炉冷却，取出粉末压片粉碎至粒径为0.1-0.4微米，最终制备成功纯净的Gd3-xBixSbO7 0.5≤x≤1粉末光催化材料。
2.纳米粉末催化材料Gd3-xYxSbO7 0.5≤x≤1的制备方法，其特征是采用高温固相烧结的方法制备Gd3-xYxSbO7 0.5≤x≤1光催化粉末材料；以纯度为99.99％的Gd2O3、Y2O3和Sb2O5为原材料，将Gd、Y、Sb以所述分子式原子比的Gd2O3、Y2O3和Sb2O5充分混合，然后在球磨机中研磨，粉末的粒径达到0.5-1.8微米，在200±40℃烘干4±1小时，压制成片，放入高温烧结炉中烧制；将炉温升至750±20℃，保温8±2小时后随炉冷却，将粉末压片取出粉碎至粒径为0.4-1.5微米，再将这些粉末压制成片，放入高温烧结炉中烧结，最高炉温为760±20℃，保温6±1小时后随炉冷却，将粉末压片取出粉碎至粒径为0.3-1.3微米，再将这些粉末压制成片，第二次放入高温烧结炉中烧结，升温条件如下：
a.由20℃升温至400℃，升温时间为40±10min；b.在400℃保温40±10min；c.由400℃升温至760℃，升温时间为40±15min；d.在760℃保温500-800min；e.由760℃升温至1320±60℃，升温时间为40±10min；f.在1320±60℃保温3000±1000min，炉冷；取出粉末压片粉碎至粒径为0.08-0.35微米；最终制备成功纯净的Gd3-xYxSbO7 0.5≤x≤1粉末光催化材料。
3.纳米粉末催化材料In3-xBixTaO7 0.5≤x≤1的制备方法，其特征是以纯度为99.99％的In2O3、Bi2O3和Ta2O5为原材料，将In、Bi、Ta以所述分子式原子比的In2O3、Bi2O3和Ta2O5充分混合，然后在球磨机中研磨，粉末的粒径达到0.5-2微米，在200±40℃烘干4±1小时，压制成片，放入高温烧结炉中烧制；将炉温升至720±20℃，保温8±2小时后随炉冷却，将粉末压片取出粉碎至粒径为0.4-1.5微米，再将这些粉末压制成片，放入高温烧结炉中烧结，最高炉温为750±20℃，保温8±1小时后随炉冷却，将粉末压片取出粉碎至粒径为0.3-1.3微米，再将这些粉末压制成片，第二次放入高温烧结炉中烧结；升温条件如下：由20℃升温至400℃，升温时间为40±10min；b.在400℃保温40±10min；c.由400℃升温至750℃，升温时间为40±10min；d.在750℃保温480-800min；e.由750℃升温至1080±50℃，升温时间为30±15min；f.在1080±50℃保温3000±600min，炉冷；取出粉末压片粉碎至粒径为0.06-0.32微米；最终制备成功纯净的In3-xBixTaO7 0.5≤x≤1粉末光催化材料。
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