[发明专利]一种肖特基薄膜太阳能电池无效
| 申请号： | 200910264857.3 | 申请日： | 2009-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN101820011A | 公开（公告）日： | 2010-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张宏勇;邹福松 | 申请（专利权）人： | 江苏华创光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/20 |
| 代理公司： | 南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204 | 代理人： | 柏尚春 |
| 地址： | 214213 江苏省宜兴市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 薄膜 太阳能电池 | ||
【权利要求书】：
1.一种肖特基薄膜太阳能电池，其特征在于，包括基板，基板上为过渡层，过渡层上为金半结金属层既作为背电极又作为金半结中金属层，金半结金属层上为晶体硅层，晶体硅层上为TCO薄膜层作为前电极。
2.根据权利要求1所述的一种肖特基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述过渡层为二氧化硅。
3.根据权利要求1所述的一种肖特基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅层为n型硅层，所述金半结金属层材料为铝或金或钨。
4.根据权利要求3所述的一种肖特基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述金半结金属层是厚度为0.1～0.5um的铝层。
5.根据权利要求1所述的一种肖特基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅层为p型硅层，所述金半结金属层材料为GaAs。
6.根据权利要求3或5所述的一种肖特基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅层厚度为0.5～1.5um。
7.根据权利要求1或2所述的一种肖特基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述过渡层厚度为20～100nm。
8.根据权利要求1或2所述的一种肖特基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述晶体硅层与TCO薄膜层之间设有PIN结构硅基薄膜层。
9.根据权利要求1或2所述的一种肖特基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述基板材质为玻璃或者不锈钢。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
