[发明专利]一种改善有源矩阵有机发光显示器寿命的像素电路

说明书

技术领域

本发明涉及平板显示领域，特别是一种改善有源矩阵有机发光显示器寿命的像素电路。

背景技术

有源矩阵有机发光显示器(AMOLED)具有分辨率高，功耗较低，可视角大，画面对比度高等优点。

目前制作在玻璃基板上，用于驱动有机发光器件的薄膜晶体管(TFT)，基本上分为两类，分别是非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(TFT)与低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管。这两类薄膜晶体管器件长期工作在直流电压偏置状态下或电流偏置状态下会发生器件特性的漂移。如果不采取某种措施处理这种漂移，发生特性漂移的薄膜晶体管器件驱动电流下降，导致有机发光显示器件亮度降低，薄膜晶体管器件过早失效。通常对于薄膜晶体管的阈值电压Vth而言，其数值是升高的。因此，在AMOLED中必须进行特殊的处理，以应对薄膜晶体管器件衰减问题。抑制器件特性漂移问题的重要的方法的一是设计像素补偿电路。

图1是一种传统的像素电路结构及其驱动信号时序图。该方案使用了两个薄膜晶体管和一个电容Cst控制与驱动OLED器件，其中Vdata为该像素OLED显示灰阶所需的数据电压，Vgate[n]为该像素所在第n行的扫描电压信号。像素电路的工作方式如下：当Vgate[n]为高电平时，薄膜晶体管T1打开，数据电压Vdata通过薄膜晶体管T1传输到薄膜晶体管T2的栅极，即电路节点N，同时为储存电容Cst充电，此时节点N的电压为Vdata。数据电压信号Vdata通过薄膜晶体管T2转换为数据电流信号Idata，Idata流过OLED，使OLED发出所需灰阶亮度的光。当Vgate[n]为低电平时，薄膜晶体管T1关闭，节点N的电压Vdata在储存电容Cst的作用下保持不变，致使Idata保持不变，从而OLED的亮度能保持到下一次薄膜晶体管T1的开启。

上述图1的传统像素电路结构简单，只需要2个薄膜晶体管(TFT)就能工作，对于底部发射的OLED器件结构，具有高开口率的优点。然而上述图1的传统的像素电路结构，没有解决薄膜晶体管器件长期工作在直流电压偏置状态下的特性漂移问题。如不采用抑制或补偿薄膜晶体管器件特性漂移的手段，会大大影响OLED显示器的寿命。

目前常用的抑制薄膜晶体管器件特性漂移的手段主要是加上反相工作电压；补偿薄膜晶体管器件特性漂移的手段主要是设计像素补偿电路。目前设计像素补偿电路是AMOLED常用的补偿薄膜晶体管器件特性漂移的手段。

发明内容

发明目的：本发明主要是解决AMOLED显示中，薄膜晶体管器件长期工作产生的阈值电压漂移，从而影响OLED器件发光亮度的问题，提出了一种改善有源矩阵有机发光显示器寿命的像素电路，该电路能有效补偿薄膜晶体管器件的特性漂移，应对薄膜晶体管器件衰减，导致有源矩阵有机发光显示器寿命过短的问题。

技术方案：针对上述要解决的技术问题，本发明提出了一种改善有源矩阵有机发光显示器寿命的像素电路，包括电源线、数据线、多条行扫描线、有机发光二极管、储存电容、耦合电容、第一驱动薄膜晶体管、第一开关薄膜晶体管、第二开关薄膜晶体管、第三开关薄膜晶体管、第四开关薄膜晶体管；其中：

第一驱动薄膜晶体管，驱动所述有机发光二极管发光，包括栅极，漏极和源极，所述栅极和所述储存电容的一端相连，储存电容的另一端连接电源线；所述漏极，和所述第四开关薄膜晶体管的源极及所述第三开关薄膜晶体管的漏极相连；所述源极和所述有机发光二极管的阳极相连，有机发光二极管的阴极接地；

第一开关薄膜晶体管，控制耦合电容为第一驱动薄膜晶体管的栅极充入灰阶数据电压；

第二开关薄膜晶体管，控制耦合电容的一端放电，其栅极分别连接多条行扫描线的第n-1行扫描线、第三开关薄膜晶体管以及第四开关薄膜晶体管的栅极；

第三开关薄膜晶体管，控制第一驱动薄膜晶体管的栅极电压放电至阈值电压，其源极与第一驱动薄膜晶体管的栅极以及储存电容的一端相连；

第四开关薄膜晶体管，控制所述电源线与第一驱动薄膜晶体管的连接；

其中所述电源线和所述第四开关薄膜晶体管的漏极相连；所述数据线与所述第一开关薄膜晶体管的漏极相连；所述耦合电容的一端，与所述第一开关薄膜晶体管的源极及第二开关薄膜晶体管的漏极相连，所述耦合电容的另一端与所述第一驱动薄膜晶体管的栅极相连。