[发明专利]一种AMOLED显示器件

说明书

技术领域

本发明属于平面显示技术领域，尤其涉及一种AMOLED平面显示器件。

背景技术

OLED，即有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode)，又称为有机电发光显示(Organic Electroluminesence Display，OELD)。OLED显示技术与传统的LCD显示方式不同，无需背光灯，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。而且OLED显示屏幕可以做得更轻更薄，可视角度更大，并且能够显著节省电能。OLED根据驱动方式分为主动式驱动(有源驱动)OLED(AMOLED)和被动式驱动(无源驱动)OLED(PMOLED)。

如图3所示，现有的AMOLED的结构由TFT基板、ITO(indium tin oxide；铟锡氧化物)阳极层10(Anode Layer)、有机发光层11(Emitting MaterialLayer)与金属阴极层12(Cathode Layer)等层状结构所组成，其中，薄而透明的阳极层10与阴极层12如同三明治般地将有机发光层11包夹其中，当电压注入阳极的空穴(Hole)与阴极来的电子(Electron)在有机发光层11结合时，激发有机材料而发光。TFT基板由玻璃基板1以及依次位于其上的缓冲层2(buffer layer)、活性层3、栅极绝缘层4、栅极金属层5、源和漏电极6、层间绝缘层7(ILD layer)、保护层8(Passivation)和象素限定层9等附加层状结构。

为了达到高的色彩覆盖率，通常还需要对OLED设置光学微腔，即在有机发光层11的两端设置反射面，使得两端的反射面之间形成一个可以将有机发光层11发射的光在其中来回反射的光学微腔，有机发光层11发射的光在该光学微腔中来回反射后，正常发射的光和经过反射的光波之间产生干涉，因而可以人为选择使特定波长的光强增强或减弱，从而有效的减小从玻璃基板中发射出来的红光、绿光和蓝光的发光光谱的半波宽度，使得红光、绿光和蓝光的色彩更纯，从而提高了OLED色彩覆盖率。现有技术中，为了形成这种光学微腔，通常是在阴极层12的相对端(即阳极层10之上)额外设置介质膜反射层或者金属膜反射层(图3中未画出)从而与阴极层的反射面之间形成光学微腔。这种形成光学微腔的结构和生成方法，由于需要单独增加介质膜反射层或者金属膜反射层，导致工序及材料消耗增加，同时在镀膜的时候也容易对其它层状结构造成损伤。

发明内容

本发明的目的就是为了简化现有的AMOLED光学微腔的结构和加工工艺，提出了一种AMOLED显示器件。

本发明所采用的技术方案是：一种AMOLED显示器件，包括玻璃基板以及依次位于玻璃基板之上的缓冲层、层间绝缘层、保护层、阳极层、有机发光层和阴极层，其特征在于，所述缓冲层或/和层间绝缘层或/和保护层由至少两层具有不同折射率的透明绝缘材料构成，在所述缓冲层、层间绝缘层和保护层内部和外部各层间的交界处形成至少一个位于阳极层一端的反射面，所述反射面与阴极层一端的反射面形成一个光学微腔，所述有机发光层发射的光可在所述光学微腔中来回反射。

上述缓冲层或/和层间绝缘层或/和保护层可由SiNx材料层和SiO2材料层交替分布构成。

上述SiNx材料层和SiO2材料层的厚度范围均为50nm-350nm。

上述保护层由180nm厚度的SiNx材料层和220nm厚度的SiO2材料层两层构成，层间绝缘层由190nm的SiNx材料层和350nm的SiO2材料层两层构成。

上述保护层由50nm厚度的SiNx材料层和100nm厚度的SiO2材料层两层构成，层间绝缘层由50nm的SiNx材料层和100nm的SiO2材料层两层构成，缓冲层由50nm的SiNx材料层和100nm的SiO2材料层两层构成。

上述保护层由50nm厚度的SiNx材料层、100nm厚度的SiO2材料层、50nm厚度的SiNx材料层、100nm厚度的SiO2材料层四层构成，层间绝缘层由100nm的SiNx材料层和300nm的SiO2材料层两层构成。