[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种器件，包括：

第一至第四图像感测区，以2×2矩阵形式对称地排列；

第一至第四像素阵列，分别排列在所述第一至第四图像感测区中，并基本上互相邻接；以及

第一至第四外围电路部件，排列在所述第一至第四图像感测区的外围部分。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二至第四图像感测区是通过顺序地调转所述第一图像感测区而被形成的。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第一至第四图像感测区分别形成在四个裸片上，所述四个裸片在一晶片上互相邻接。

4.一种器件，包括：

第一和第二图像感测区；

第一和第二像素阵列，排列在所述第一和第二图像感测区之间的边界处并且相互邻接；以及。

第一和第二外围电路部件，排列在所述第一和第二图像感测区的外围部分。

5.根据权利要求4所述的器件，其中，所述第二图像感测区通过调转所述第一图像感测区而被形成。

6.一种方法，包括：

形成第一至第四掩模，其中所述第二至第四掩模通过顺序地调转所述第一掩模而被形成；

将所述第一至第四掩模排列在一晶片上；以及

通过所述第一至第四掩模暴露在所述晶片上基本上互相邻接的第一至第四裸片。

7.根据权利要求6所述的方法，包括将所述第一至第四裸片划为一个单元。

8.一种方法，包括：

制备一掩模，该掩模包括形成于一衬底的上表面上方的第一掩模图案和形成于该衬底的下表面上方的第二掩模图案；

通过利用所述掩模的所述第一掩模图案在第一图像感测区上执行第一照相工艺；

通过使所述掩模横向旋转约180°在第三图像感测区上执行第二照相工艺；

通过利用所述掩模的所述第二掩模图案在第二图像感测区上执行第三照相工艺；以及

通过使所述掩模横向旋转约180°在第四图像感测区上执行第四照相工艺。

9.一种方法，包括：

形成第一和第二掩模，其中通过调转所述第一掩模形成所述第二掩模；

将所述第一和第二掩模排列在一晶片上；以及

通过所述第一和第二掩模暴露在所述晶片上互相邻接的第一和第二裸片。

10.一种方法，包括：

制备一掩模，该掩模包括形成于一衬底的上表面上方的第一掩模图案和形成于所述衬底的下表面上方的第二掩模图案；

通过利用所述掩模的所述第一掩模图案在第一图像感测区上执行第一照相工艺；以及

通过利用所述掩模的所述第二掩模图案在第二图像感测区上执行第二照相工艺。