[发明专利]图像传感器及其制造方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

半导体衬底，其包括读出电路；

层间电介质，其位于该半导体衬底之上；

互连件，其穿过所述层间电介质并连接至所述读出电路；

第一金属图案，其位于所述层间电介质之上并连接到该互连件；

第二金属图案，其位于所述第一金属图案之上；以及

光电二极管图案，其位于所述第二金属图案之上。

2.根据权利要求1所述的装置，包括像素隔离层，其位于所述第一金属图案、所述第二金属图案以及所述光电二极管图案中的至少一个的侧壁处以将所述光电二极管图案分隔成多个像素。

3.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一金属图案和所述第二金属图案中的至少一个包括Ti、Ta、Co、Al、Sn、Cu、Pb和Ag中的至少一种。

4.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一金属图案和所述第二金属图案包括接合层。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述光电二极管图案包括层叠结构，所述层叠结构包括第一掺杂层和第二掺杂层。

6.一种方法，包括：

提供包括读出电路的半导体衬底；

在所述半导体衬底之上形成层间电介质；

形成穿过所述层间电介质并连接至所述读出电路的互连件；

在所述层间电介质之上形成第一金属图案；

形成图像传感装置；

在所述图像传感装置的表面之上形成第二金属图案；

在所述第一金属层和所述第二金属层之上执行接合工艺以使所述图像传感装置与所述半导体衬底接合；以及

在所述图像传感装置、所述第二金属层和所述第一金属层中的至少一个之上形成像素隔离层以将所述图像传感装置分隔成多个像素。

7.根据权利要求6所述的方法，其中所述接合包括热压接合工艺，

其中所述热压接合工艺包括大致在1kN和100kN之间的接合压力。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一金属层和第二金属包括相同的导电材料。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一个包括Ti、Ta、Co、Al、Sn、Cu、Pb和Ag中的至少一种。

10.根据权利要求6所述的方法，其中通过物理气相沉积、化学气相沉积、电镀和非电解电镀工艺中的至少一种形成所述第一金属层和所述第二金属层中的至少一个。