[发明专利]一种使用具有截止紫外线和红外线双功能滤光片的LED光源无效

专利信息
申请号: 200910265307.3 申请日: 2009-12-29
公开(公告)号: CN101813296A 公开(公告)日: 2010-08-25
发明(设计)人: 李欣洋 申请(专利权)人: 李欣洋
主分类号: F21V9/04 分类号: F21V9/04;F21V9/06;H01L25/075;H01L33/00;F21Y101/02
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 518054 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 使用 具有 截止 紫外线 红外线 功能 滤光 led 光源
【权利要求书】:

1.一种使用具有截止紫外线和红外线双功能滤光片的LED光源,包括具有至少一个LED芯片的LED器件,以及安装在LED器件上用于过滤LED芯片发出的光线的滤光片,其中LED芯片发出的光经滤光片发射到外部,其特征在于,

LED器件为单色或多色,单色是在LED器件中封装某一种发射波长的LED芯片,一个LED器件内至少有一个LED芯片;多色是将多种不同发射波长的LED芯片共同封装在一个LED器件中;

所述滤光片是具有截止紫外线和红外线双功能的由环状烯烃类树脂、环烯烃共聚物、环烯烃聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯和光学玻璃其中任一种材料成型的透明基材镀膜形成,能够吸收波长小于445nm的短波长范围和波长大于700nm的长波长范围内的光。

2.根据权利要求1所述的LED光源,其特征在于所述滤光片在封装LED器件时就加入,或者在对LED器件进行二次封装时安装。

3.根据权利要求1所述的LED光源,其特征在于多个LED器件共同使用一个滤光片。

4.根据权利要求1所述的LED光源,其中透明基材包括成型的任意曲面的透镜,或者任意薄膜片,或者任意立体几何形状;其特征是:所述成型的透明基材表面镀有紫外线截止膜层和红外线截止膜层,紫外线截止膜层或者红外线截止膜层位于滤光片的最外层。

5.根据权利要求4所述的LED光源,其特征是所述的紫外线截止膜层为氧化钛-氧化铈膜层,氧化钛和氧化铈的质量比例为10~90%∶10~90%。

6.根据权利要求4所述的LED光源,其特征是所述的紫外线截止膜层厚度为10~500纳米。

7.根据权利要求4所述的LED光源,其特征是所述的红外线截止膜层由两种高、低折射率材料薄膜相互间隔堆叠而成;该高折射率材料薄膜由五氧化二钽形成;该低折射率材料薄膜由二氧化硅形成。

8.根据权利要求4所述的LED光源,其特征是所述的红外线截止膜层厚度为10~500纳米。

9.根据权利要求4所述的LED光源,其特征是:根据需要依一定次序镀若干层紫外线截止膜层和红外线截止膜层。

10.根据权利要求4所述的LED光源,其特征是其中所述透镜为圆形或方形曲面。

11.一种具有截止紫外线和红外线双功能的滤光片的制备方法,其特征是包括如下步骤: 

1)首先对待镀膜透明基材进行清洗、干燥后,进行预真空过渡;最后在真空设备中进行离子反溅射清洗,让加速离子轰击基片表面,去除杂质,得到清洁的透明基材;

2)然后采用电子束蒸发方法镀制膜层:

(1).配制截止紫外线和截止红外线的靶材:

截止紫外线靶材:由氧化钛(TiO2)和氧化铈(CeO2)组成,氧化钛和氧化铈各组份所占质量百分比为:氧化钛10~90%,氧化铈10~90%;混合均匀并烧结成靶材;

截止红外线靶材:低折射率薄膜靶材为高纯度的硅;高折射率薄膜由五氧化二钽组成;靶材为高纯度的Ta2O5

(2).电子束蒸发镀膜:

采用电子束蒸发并用离子源进行辅助沉积。本底真空为(2~3)×10-3Pa,工作真空为(1~4)×10-2Pa,采用下述三种方式之一进行镀膜:

(a)先由氧化钛-氧化铈靶材对透明基材进行电子束蒸发镀紫外线截止膜层作为内层膜,在此基础上,再由硅靶材和五氧化二钽靶材进行电子束蒸发镀红外线截止膜层作为外层膜得到滤光片;

(b)先由硅靶材和五氧化二钽靶材对透明基材进行电子束蒸发镀红外线截止膜层作为内层膜,在此基础上,再由氧化钛-氧化铈靶材进行电子束蒸发镀紫外线截止膜层作为外层膜得到滤光片;

(c)依一定次序在透明基材上镀若干层紫外线截止膜层和红外线截止膜层,得到滤光片。

12.根据权利要求11所述的滤光片的制备方法,其特征在于,所述透明基材为环状烯烃类树脂、环烯烃共聚物、环烯烃聚合物、聚甲基丙烯酸甲酯和光学玻璃其中任一种。

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