[发明专利]晶体管有效
| 申请号： | 200910265488.X | 申请日： | 2009-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN102110713A | 公开（公告）日： | 2011-06-29 |
| 发明（设计）人： | 骆伯远;彭玉容;胡堂祥;詹益仁 | 申请（专利权）人： | 财团法人工业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/43;H01L51/05;H01L51/30 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 | ||
1.一种晶体管，包括：
一衬底；
一栅极，配置于该衬底上；
一半导体层，配置于该衬底上，以一第一型态载流子作为主要载流子；
一绝缘堆迭层，配置于该半导体层与该栅极之间，包括：
一第一绝缘层，包含能吸引该第一型态载流子的一第一基团；
以及
一第二绝缘层，包含能吸引一第二型态载流子的一第二基团，其中该第一绝缘层配置于该半导体层与该第二绝缘层之间；以及一源极与一漏极，配置于该衬底上，且位于该半导体层的两侧。
2.根据权利要求1项所述的晶体管，其中该第一型态载流子为空穴，以及该第二型态载流子为电子。
3.根据权利要求2项所述的晶体管，其中该半导体层为P型半导体层。
4.根据权利要求2项所述的晶体管，其中该第一基团包括烷基、醇基以及氨基。
5.根据权利要求2项所述的晶体管，其中该第二基团包括卤基、腈基、羰基以及硝基。
6.根据权利要求2项所述的晶体管，其中该绝缘堆迭层进一步包括一第三绝缘层，该第三绝缘层包含能吸引该第一型态载流子的一第三基团，且该第三绝缘层配置于该第二绝缘层与该栅极之间。
7.根据权利要求6项所述的晶体管，其中该第三基团包括烷基、醇基以及氨基。
8.根据权利要求2项所述的晶体管，其中该第二绝缘层包含金属粒子。
9.根据权利要求8项所述的晶体管，其中该金属粒子在该第二绝缘层中的重量百分比小于0.1％。
10.根据权利要求8项所述的晶体管，其中该金属粒子包括金、银或铂。
11.根据权利要求1项所述的晶体管，其中该第一型态载流子为电子，以及该第二型态载流子为空穴。
12.根据权利要求11项所述的晶体管，其中该半导体层为N型半导体层。
13.根据权利要求11项所述的晶体管，其中该第一基团包括卤基、腈基、羰基以及硝基。
14.根据权利要求11项所述的晶体管，其中该第二基团包括烷基、醇基以及氨基。
15.根据权利要求11项所述的晶体管，其中该第一绝缘层包含金属粒子。
16.根据权利要求15项所述的晶体管，其中该金属粒子在该第一绝缘层中的重量百分比小于0.1％。
17.根据权利要求15项所述的晶体管，其中该金属粒子包括金、银或铂。
18.根据权利要求11项所述的晶体管，其中该绝缘堆迭层进一步包括一第三绝缘层，该第三绝缘层包含能吸引该第一型态载流子的一第三基团，且该第三绝缘层配置于该第二绝缘层与该栅极之间。
19.根据权利要求18项所述的晶体管，其中该第三基团包括卤基、腈基、羰基以及硝基。
20.根据权利要求18项所述的晶体管，其中该第三绝缘层包含金属粒子。
21.根据权利要求20项所述的晶体管，其中该金属粒子在该第三绝缘层中的重量百分比小于0.1％。
22.根据权利要求20项所述的晶体管，其中该金属粒子包括金、银或铂。
23.根据权利要求1项所述的晶体管，其中该绝缘堆迭层的总厚度为220nm～800nm。
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