[发明专利]一种半导体器件制造过程中的铝杂质扩散掺杂方法有效
| 申请号： | 200910265540.1 | 申请日： | 2009-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN101740361A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 唐革;舒丽辉;操国宏;黄建伟;喻影 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/223 | 分类号： | H01L21/223 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 逯长明;王宝筠 |
| 地址： | 412001*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 制造 过程 中的 杂质 扩散 掺杂 方法 | ||
1.一种半导体器件制造过程中的铝杂质扩散掺杂方法，其特征在于，包 括：
在真空扩散炉中，以第一陶瓷舟中的高纯铝源对扩散管内壁和置于所述 扩散管内部的硅舟进行饱和扩散掺杂；
在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的 高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的试验芯 片进行第一时间长度的扩散掺杂；
测量所述试验芯片的薄层电阻，根据经验公式计算对正式芯片进行扩散 掺杂所需的第二时间长度；
在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的 高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的正式芯 片进行第二时间长度的扩散掺杂；
其中所述根据经验公式计算对正式芯片进行扩散掺杂的第二时间长度具 体实现为：
将测量得到的试验芯片表面浓度的薄层电阻率值与正式芯片所需表面浓 度的薄层电阻率目标值之间的商的平方，乘以对试验芯片进行扩散掺杂的第 一时间长度，得到的积作为第二时间长度。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对试验芯片进行扩散掺 杂时，所述试验芯片插入所述硅舟中部，在所述硅舟上插入试验芯片的两侧 还插入挡片。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在对正式芯片进行扩散掺 杂时，所述正式芯片插入所述硅舟中部，在所述硅舟上插入正式芯片的两侧 还插入挡片。
4.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述对扩 散管内壁和置于所述扩散管内部的硅舟进行饱和扩散掺杂过程的温度为1060 摄氏度，持续时间为30小时。
5.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述对试 验芯片进行扩散掺杂过程的温度为1060摄氏度。
6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述对正式芯片进行扩散 掺杂过程的温度为1060摄氏度。
7.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述扩散 管为石英管、碳化硅管或多晶硅管。
8.根据权利要求1至3中任意一项所述的方法，其特征在于，所述高纯 铝源的纯度大于或等于99.9999％。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
