[发明专利]发光器件

权利要求书

1.一种发光器件，包括：

有源层；

在所述有源层上的第一导电半导体层；

在所述有源层上的第二导电半导体层，使得所述有源层设置在所述第 一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间；和

在所述第一导电半导体层的一部分中的稀土元素注入层，

在所述第一导电半导体层的未形成所述稀土元素注入层的区域上的第 一电极层，

其中所述第一电极层不与所述稀土元素注入层垂直交叠。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述稀土元素注入层在所述第 一导电半导体层的表面部分中。

3.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述稀土元素注入层包括选自 Er、Eu、Pr、Tb、Dy、Ce、Sm、Gd、Ho、Yb、Lu、Nd、Pm和Tm中 的至少一种。

4.根据权利要求1所述的发光器件，还包括在所述第一导电半导体层上 的未掺杂的半导体层，

其中所述稀土元素注入层形成在所述未掺杂的半导体层中。

5.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一电极层包括：

在所述第一导电半导体层上的反射层；和

在所述反射层上的第一电极。

6.根据权利要求5所述的发光器件，其中所述反射层包括欧姆层。

7.根据权利要求1所述的发光器件，还包括：在所述第二导电半导体层 上的第二电极层。

8.根据权利要求7所述的发光器件，其中所述第二电极层包括第二欧姆 层、反射层、耦合层和第二衬底中的至少一个。

9.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述第一导电半导体层包括光 子晶体结构。

10.根据权利要求9所述的发光器件，其中所述稀土元素注入层形成在所 述第一导电半导体层的光子晶体结构中。

11.一种发光器件，包括：

有源层；

在所述有源层上的第一导电半导体层；

在所述有源层上的第二导电半导体层，使得所述有源层设置在所述第 一导电半导体层和所述第二导电半导体层之间；

在所述第一导电半导体层上的导电衬底；和

在所述导电衬底中的稀土元素注入层，

在所述导电衬底的未形成所述稀土元素注入层的区域上的第一电极 层，

其中所述稀土元素注入层具有粗糙结构。

12.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述导电衬底包括单晶衬底或 者多晶衬底，所述单晶衬底或者多晶衬底包括选自氮化镓、氧化镓、氧化 锌、碳化硅和金属氧化物中的至少一种。

13.根据权利要求11所述的发光器件，还包括在所述导电衬底的一部分上 形成的光子晶体结构。

14.根据权利要求13所述的发光器件，其中所述稀土元素注入层部分地形 成在包括所述光子晶体结构的所述导电衬底中。

15.根据权利要求11所述的发光器件，还包括在所述导电衬底上的未掺杂 的半导体层，

其中所述稀土元素注入层形成在所述未掺杂的半导体层中。

16.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述第一电极层包括：

在所述第一导电半导体层上的反射层；和

在所述反射层上的第一电极。

17.根据权利要求16所述的发光器件，其中所述反射层包括欧姆层。

18.根据权利要求11所述的发光器件，其中所述稀土元素注入层在所述导 电衬底的表面部分中。

19.根据权利要求11所述的发光器件，还包括在所述第二导电半导体层上 的第二电极层。

20.根据权利要求19所述的发光器件，其中所述第二电极层包括第二欧姆 层、反射层、耦合层和第二衬底中的至少一个。