[发明专利]用于制造背面照明图像传感器的方法

权利要求书

1.一种制造背面照明图像传感器的方法，包括：

在第一基底的正面中形成离子注入层；

在所述第一基底的正面上形成隔离区域，以限定像素区域；

在所述像素区域中形成光电检测器和读出电路；

在所述第一基底的正面上形成层间介电层和金属线；

将第二基底与具有所述金属线的所述第一基底的正面接合；

基于所述离子注入层去除所述第一基底的下部；

在所述第一基底的背面上执行退火工艺，其中所述第一基底的背面与所述第一基底的正面相反；以及

在所述第一基底的背面的光电检测器上方形成微镜头。

2.根据权利要求1所述的方法，其中在所述第一基底的背面上执行退火工艺包括：

在所述第一基底的背面上形成氧化物层；

在所述氧化物层上形成SiN层；以及

在所述第一基底的背面上执行烧结工艺。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括：在去除了所述第一基底的下部之后，在所述第一基底的背面上形成滤色器。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在去除了所述第一基底的下部之后执行衬垫显露工艺。

5.根据权利要求1所述的方法，还包括：在将所述第二基底与所述第一基底的正面接合之前在所述第二基底上形成绝缘层，其中当所述第二基底与所述第一基底的正面接合时，所述绝缘层与所述第一基底的正面物理接触。

6.一种制造背面照明图像传感器的方法，包括：

在第一基底的正面中形成离子注入层；

在所述第一基底的正面上形成光电检测器和读出电路；

在所述第一基底的正面上形成层间介电层和金属线；

将第二基底接合到所述第一基底的正面；

基于所述离子注入层去除所述第一基底的下部；

对所述第一基底的背面执行退火工艺，其中所述第一基底的背面与所述第一基底的正面相反；以及

在所述第一基底的背面上在光电检测器上方形成微镜头。

7.根据权利要求6所述的方法，其中在所述第一基底的背面上执行退火工艺包括：

在所述第一基底的背面上形成氧化物层；

在所述氧化物层上形成SiN层；以及

在所述第一基底的背面上执行烧结工艺。

8.根据权利要求7所述的方法，其中通过对所述第一基底的正面执行离子注入工艺，在所述第一基底的正面的整个区域上在所述第一基底内以均匀的深度形成所述离子注入层。

9.根据权利要求7所述的方法，还包括：在去除了所述第一基底的下部之后执行衬垫显露工艺。

10.根据权利要求7所述的方法，还包括：在将所述第二基底与所述第一基底的正面接合之前在所述第二基底上形成绝缘层，其中当所述第二基底与所述第一基底的正面接合时，所述绝缘层与所述第一基底的正面物理接触。